玩游戲選mlc固態(tài)硬盤還是選slc固態(tài)硬盤啊slc（singlelayercell單層單元）和mlc（multilevelcell多層單元）。tlc,mlc,mlc的每個(gè)單元是2bit的，相對(duì)slc來(lái)說(shuō)整整多了一倍，slc哪一種更好更穩(wěn)定?mlc技術(shù)是今后nandflash的發(fā)展趨勢(shì)，就像cpu單核心、雙核心、四核心一樣，mlc技術(shù)通過(guò)每cell存儲(chǔ)更多的bit來(lái)實(shí)現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進(jìn)的架構(gòu)問世。
1、固態(tài)硬盤有兩種,一個(gè)是mlc,一個(gè)是slc,它們有哪些區(qū)別,求詳解!mlc（multilevelcell）技術(shù)，由英特爾于1997年率先推出，能夠讓單個(gè)存儲(chǔ)單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量。mlc內(nèi)存顆粒是個(gè)相當(dāng)良好的低價(jià)解決方案，可大幅節(jié)省制造商端的成本，但是mlcnand顆粒制成的compactflash卡相較于slc（singlelecel_cell）內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點(diǎn)，mlc顆粒制成的產(chǎn)品只有10x（1.5mbyte/sec）的寫入速度，slc顆粒制成的產(chǎn)品可以達(dá)到22x（3.2mbyte/sec）的寫入速度。
2、固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么?固態(tài)硬盤的slcmlctlcqlc有啥區(qū)別？3dnand又是啥？每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)比特(位)不一樣，其中slc只有一個(gè)，mlc是兩個(gè)，tlc則是三個(gè)。據(jù)說(shuō)tlc壽命短，價(jià)格也低一點(diǎn)，mlc性價(jià)比最高，slc速度快成本也高價(jià)格貴。對(duì)于廠商來(lái)說(shuō)tlc比mlc成本低，目前貌似tlc的ssd也就三星在做，畢竟人家自己有廠能做閃存顆粒。
同樣的容量，tlc最便宜，mlc貴一些，slc要貴得厲害。比如128的盤，tlc的是300，mlc要近400，真正的slc，就肯定上千了。三者壽命大不同，雖然速度也有差別，但差距不大，slc快一些，tlc則接近于mlc。差距主要在壽命方面，slc一般是一萬(wàn)次p/e，mlc是3000次，tlc只有1000次?，F(xiàn)在有etlc，企業(yè)級(jí)的，可以達(dá)到2000次。
3、固態(tài)硬盤ssd解析slc,mlc和tlc三者的區(qū)別是什么?固態(tài)硬盤的slcmlctlcqlc有啥區(qū)別？3dnand又是啥？slc、mlc、tlc三種閃存的mosfet是完全一樣的，區(qū)別在于如何對(duì)單元進(jìn)行編程。slc要么編程，要么不編程，狀態(tài)只能是0、1。mlc每個(gè)單元存儲(chǔ)倆比特，狀態(tài)就有四種00、01、10、11，電壓狀態(tài)對(duì)應(yīng)也有四種。tlc每個(gè)單元三個(gè)比特，狀態(tài)就有八種了(000、001、010、100、011、101、110、111)。
mlcmultilevelcell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約300010000次擦寫壽命。tlctrinarylevelcell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度相對(duì)慢壽命相對(duì)短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命簡(jiǎn)單地說(shuō)slc的性能最優(yōu)，價(jià)格超高。一般用作企業(yè)級(jí)或高端發(fā)燒友。
4、采用slc閃存的m.2接口硬盤2000元以內(nèi)已經(jīng)可以買到slc閃存的240g容量固態(tài)硬盤了，但接口沒有m.2的。比如：1600多元的富士通(fujitsu)至尊版240g固態(tài)硬盤目前m.2接口的固態(tài)盤還無(wú)法使用slc閃存，因?yàn)槌杀緹o(wú)法很好地控制。m.2接口的ssd只要其主控芯片可以支持pcie總線的話，并不需要slc閃存，僅用mlc閃存就可以獲得約770mb/s的讀取速度，在現(xiàn)階段來(lái)說(shuō)這個(gè)速度已經(jīng)相當(dāng)可觀了，甚至超越了sata3接口的slc閃存的ssd硬盤。
5、固態(tài)硬盤mlc是什么意思mlc是固態(tài)硬盤閃存顆粒的其中一種型號(hào)，閃存顆粒質(zhì)量的優(yōu)劣直接關(guān)系到固態(tài)硬盤的讀取速度、壽命等等。目前固態(tài)硬盤根據(jù)生產(chǎn)工藝有三種閃存顆粒，分別是mlc、tlc、slc這三種顆粒的差別如下：slcsinglelevelcell，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc3倍以上的價(jià)格），約10萬(wàn)次擦寫壽命mlcmultilevelcell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約300010000次擦寫壽命tlctrinarylevelcell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。
6、玩游戲選mlc固態(tài)硬盤還是選slc固態(tài)硬盤啊slc（singlelayercell單層單元）和mlc（multilevelcell多層單元）。slc的特點(diǎn)是成本高、容量小、速度快，而mlc的特點(diǎn)是容量大成本低，但是速度慢。mlc的每個(gè)單元是2bit的，相對(duì)slc來(lái)說(shuō)整整多了一倍。不過(guò)，由于每個(gè)mlc存儲(chǔ)單元中存放的資料較多，結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，出錯(cuò)的幾率會(huì)增加，必須進(jìn)行錯(cuò)誤修正，這個(gè)動(dòng)作導(dǎo)致其性能大幅落后于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的slc閃存。
此外，為了保證mlc的壽命，控制芯片都校驗(yàn)和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)?，達(dá)到100萬(wàn)小時(shí)故障間隔時(shí)間(mtbf)。mlc技術(shù)是今后nandflash的發(fā)展趨勢(shì)，就像cpu單核心、雙核心、四核心一樣，mlc技術(shù)通過(guò)每cell存儲(chǔ)更多的bit來(lái)實(shí)現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進(jìn)的架構(gòu)問世。
7、請(qǐng)問固態(tài)硬盤的三種顆粒,tlc,mlc,slc哪一種更好更穩(wěn)定?slc最好壽命長(zhǎng)速度快也最貴一般用于企業(yè)級(jí)硬盤mcl其次壽命比tlc長(zhǎng)一倍（理論）速度比tlc快一點(diǎn)點(diǎn)目前比較普及民用級(jí)硬盤tlc最后剛出來(lái)比較受爭(zhēng)議但價(jià)格相當(dāng)便宜（至少我買的時(shí)候120g的比mlc便宜好幾百）但現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)漲到跟mlc差不多沒啥性價(jià)比了目前的情況建議買mlc的固態(tài)硬盤穩(wěn)定性都差不多使用過(guò)程中都能晃動(dòng)震動(dòng)甚至是摔都不怕但機(jī)械硬盤就不行那樣會(huì)很容易損壞。