1. 輸入特性曲線（以共射極放大電路為例）
ib=f (vbe)½ vce=常數(shù)
(1) 當(dāng)vce=0v時(shí)，相當(dāng)于c和e短接，表現(xiàn)為pn結(jié)的正向伏安特性曲線。
(2) 當(dāng)vce≥1v時(shí)， vcb= vce - vbe>0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vbe下ib減小，特性曲線右移。
(3) 輸入特性曲線的三個(gè)部分
①死區(qū)
死區(qū)電壓：硅管0.5v，鍺管0.1v
②非線性區(qū)
③線性區(qū)
ib在很大范圍內(nèi)變化，vbe基本不變（恒壓）。vbe值：硅管約0.7v，鍺管約0.2v。
2. 輸出特性曲線（以共射極放大電路為例）
ic=f (vce)½ ib=常數(shù)
輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域
飽和區(qū)：ic明顯受vce控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般vce＜0.7v(硅管)。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。
放大區(qū)：ic平行于vce軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。
截止區(qū)：ic接近零的區(qū)域，即ib=0的曲線的下方。此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏或正向電壓小于死區(qū)電壓。