1.npn型和pnp型基本開關(guān)原理圖：
上面的基本電路離實(shí)際設(shè)計(jì)電路還有些距離：由于晶體管基極電荷存儲(chǔ)積累效應(yīng)使晶體管從導(dǎo)通到斷開有一個(gè)過渡過程（當(dāng)晶體管斷開時(shí)，由于r1的存在，減慢了基極電荷的釋放，所以ic不會(huì)馬上變?yōu)榱悖?。也就是說發(fā)射極接地型開關(guān)電路存在關(guān)斷時(shí)間，不能直接應(yīng)用于中高頻開關(guān)。
2.實(shí)用的npn型和pnp型開關(guān)原理圖1（添加加速電容）
解釋：當(dāng)晶體管突然導(dǎo)通（in信號(hào)突然發(fā)生跳變），c1瞬間短路，為三極管快速提供基極電流，這樣加速了晶體管的導(dǎo)通。當(dāng)晶體管突然關(guān)斷（in信號(hào)突然發(fā)生跳變），c1也瞬間導(dǎo)通，為卸放基極電荷提供一條低阻通道，這樣加速了晶體管的關(guān)斷。c通常取值幾十到幾百皮法。電路中r2是為了保證沒有in輸入高電平時(shí)三極管保持關(guān)斷狀態(tài)；r4是為了保證沒有in輸入低電平時(shí)三極管保持關(guān)斷狀態(tài)。r1和r3是基極電流限流用。
3.實(shí)用的npn型開關(guān)原理圖2（消特基二極管鉗位）
解釋：由于消特基二極管vf為0．2至0．4v比vbe小，所以當(dāng)晶體管導(dǎo)通后大部分的基極電流是從二極管然后通過三極管到地的，這樣流到三極管基極的電流就很小，積累起來的電荷也少，當(dāng)晶體管關(guān)斷（in信號(hào)突然發(fā)生跳變）時(shí)需要卸放的電荷少，關(guān)斷自然就快。
4.實(shí)際電路設(shè)計(jì)
在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中需要考慮三極管vceo，vcbo等滿足耐壓，三極管滿足集電極功耗；通過負(fù)載電流和hfe（取三極管最小hfe來計(jì)算）計(jì)算基極電阻（要為基極電流留0．5至1倍的余量）。注意消特基二極管反向耐壓。