igbt是繼mosfet之后，新一代的開(kāi)關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制。igbt的全稱(chēng)是isolated gate bipolar transistor，是由晶體管和mosfet的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成的器件。它具有低開(kāi)關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開(kāi)關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各個(gè)領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)等。
在選擇igbt時(shí)，需要考慮以下幾個(gè)方面：
一、電壓等級(jí)
igbt的電壓等級(jí)是選擇時(shí)的重要因素。一般而言，越高的電壓等級(jí)對(duì)應(yīng)的是更高的價(jià)格，但也能帶來(lái)更高的工作效率。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)所需工作電壓來(lái)選擇適合的器件。
二、電流等級(jí)
電流等級(jí)是另一個(gè)重要的選型考慮因素。電流等級(jí)較高的igbt通常具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，但也需要更大的散熱器和設(shè)計(jì)跡象的考慮。因此，在確定所需電流等級(jí)之前，需要對(duì)需要控制的電流進(jìn)行評(píng)估。
三、開(kāi)關(guān)速度
igbt的開(kāi)關(guān)速度可以極大地影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，在選型時(shí)，需要考慮所需開(kāi)關(guān)頻率和所需的上升時(shí)間和下降時(shí)間。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)實(shí)際需求來(lái)平衡開(kāi)關(guān)速度和其他性能要求之間的關(guān)系。
四、環(huán)境溫度
環(huán)境溫度對(duì)igbt的工作十分重要，因?yàn)楦邷貢?huì)導(dǎo)致散熱不良，并降低器件壽命。因此，在選型時(shí)，需要考慮所需工作溫度的范圍，并選擇適合的散熱器來(lái)確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
除了以上幾個(gè)因素，在選型時(shí)，還需要考慮其他因素，如峰值電流、電容、導(dǎo)通電壓降等因素。同時(shí)，還需要注意器件質(zhì)量、制造商的信譽(yù)和技術(shù)支持等。這些因素可以對(duì)系統(tǒng)的性能和可靠性產(chǎn)生重要的影響。
總的來(lái)說(shuō)，在選型igbt時(shí)需要綜合考慮多方面的因素，才能選出最合適的器件。選型不當(dāng)可能會(huì)導(dǎo)致取得的結(jié)果與期望不符或者無(wú)法達(dá)到預(yù)期目標(biāo)，因此在選型之前，需要進(jìn)行充分的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和性能評(píng)估，以確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性。