在功率電子器件領(lǐng)域，sic和gan技術(shù)的發(fā)展使得高效、高速和高溫應(yīng)用成為可能。這二者相較于傳統(tǒng)的si技術(shù)，具有更高的載流子遷移率、更小的漏電流和更高的工作電壓。
然而，盡管這些新技術(shù)已成功地證明了它們在一些領(lǐng)域的優(yōu)越性，但是關(guān)于它們的可靠性和質(zhì)量問題也引起了人們的關(guān)注。 事實上， 隨著設(shè)備尺寸的減小，芯片制造過程中會出現(xiàn)一些比傳統(tǒng)設(shè)備更顯著的制造缺陷，這可能會嚴重影響sic和gan器件的工作能力和壽命。
因此，制造商和設(shè)計師需要采取措施來提高這些器件的可靠性和質(zhì)量。 加工sic和gan芯片時，應(yīng)注意環(huán)境要求特別是防塵和防靜電。另外，良好的制造質(zhì)量控制以及高品質(zhì)的原材料也是保證芯片品質(zhì)的關(guān)鍵。
同時，應(yīng)在測試和驗證階段進行更嚴格的評估和測試，以確保器件符合設(shè)計規(guī)格和正確的性能重復性。 特別的，需要對受到高溫、高壓和擴散/漂移問題的器件進行額外的檢測和驗證。
還應(yīng)注意測試條件的保護，如注重測試中的電極設(shè)計和電氣特性的多目標測試。 與此同時，通過使用可靠的封裝技術(shù)以保護功率器件和關(guān)閉開放，也可以提高sic和gan器件的可靠性和壽命。
需要明確的是，由于其特殊的特性和制造過程，理論上來說，sic和gan器件的質(zhì)量和可靠性問題仍將是一直需要關(guān)注的問題。 采取這些措施可以最大程度地減少現(xiàn)有缺陷和將來的偏差，最終提高sic和gan器件的可靠性和質(zhì)量，推動該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。