普克爾斯盒是一種電光器件，用來制作調制器。普克爾斯盒包含一塊電光晶體（上面放置電極），光在晶體中傳播。晶體中的相位延遲可以通過施加可變電壓進行調制。因此，普克爾斯盒可以看做一個電壓控制的波片。普克爾斯盒是電光調制器的基本元件，可用于q開關激光器。幾何結構和材料考慮施加電場的方向，普克爾斯盒具有兩種不同的幾何結構：1.縱向設計的器件中，電場與穿過電極的光束方向相同。由于需要的驅動電壓與孔徑無關，因此很容易實現很大的孔徑。電極可以是金屬環(huán)（圖1，左圖）或者在端面具有金屬接觸的透明層（右圖）。圖1：在縱向電場作用下的普克爾斯盒。電極可以端面（左圖）或者外表面（右圖）的環(huán)。2.橫向設計的器件公司是歐美工業(yè)備品備件一站式服務商，貨源充足，型號齊全，質量可靠，售后服務佳。專業(yè)原裝行貨，正品保證，歡迎來電咨詢!所有產品售后有質保，并且有終身免費技術指導。我們有專業(yè)的客服團隊，24小時進行服務。下面是小編精心為大家推薦的產品科普一下普克爾斯盒是怎樣的一種電光器件？，如果您喜歡可以繼續(xù)閱讀詳細瀏覽一下去看看了解一下吧，關注收藏我們網址，每天為大家推送更多的干貨! 普克爾斯盒是一種電光器件，用來制作調制器。
普克爾斯盒包含一塊電光晶體（上面放置電極），光在晶體中傳播。晶體中的相位延遲可以通過施加可變電壓進行調制。因此，普克爾斯盒可以看做一個電壓控制的波片。普克爾斯盒是電光調制器的基本元件，可用于q開關激光器。
幾何結構和材料
考慮施加電場的方向，普克爾斯盒具有兩種不同的幾何結構：
1.縱向設計的器件中，電場與穿過電極的光束方向相同。由于需要的驅動電壓與孔徑無關，因此很容易實現很大的孔徑。電極可以是金屬環(huán)（圖1，左圖）或者在端面具有金屬接觸的透明層（右圖）。
圖1：在縱向電場作用下的普克爾斯盒。電極可以端面（左圖）或者外表面（右圖）的環(huán)。
2.橫向設計的器件中，電場與光束方向垂直。施加的電場通過晶體兩側的電極。對于小孔徑的情況，器件具有較低的開關電壓。
圖2：具有橫向電場的普克爾斯盒。左側為體調制器，右側為波導調制器。
常用于普克爾斯盒的非線性晶體材料為鉀磷酸二氘（kd*p = dkdp），鉀鈦磷（ktp），偏硼酸（bbo）（后者用于平均功率較高或者開關頻率很高時），鈮酸鋰（linbo3），鈦酸鋰（litao3）和磷酸二氫銨（nh4h2po4, adp）。
半波電壓
普克爾斯盒一個重要的性質是其半波電壓vπ。它是指產生π相位變化所需的電壓。在振幅調制器中，施加的電壓需要在這一值范圍內變化從而工作點能夠從zui小透射率到zui大透射率。
采用橫向電場的普克爾斯盒的半波電壓與晶體材料，電極間距和施加電場區(qū)域的長度有關。開口孔徑越大，需要的電極間距越大，需要的電壓也越大。
施加縱向電場的普克爾斯盒中，晶體長度不太相關，因為給定電壓情況下，長度短會提高電場強度。不用增加半波電壓的情況下也可以得到更大的孔徑。
通常的普克爾斯盒的半波電壓為幾百甚至幾千伏，高電壓放大器需要的調制深度也很大。對于很高非線性的晶體材料（例如linbo3）和電極間距很小的集成光學調制器來說，需要相對較小的半波電壓，但是這種器件具有有限的功率處理能力。
圖3：采用kdp的普克爾斯盒，可用作固態(tài)激光器中的q開關。
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