在如圖1所示的共射極接法的bjt的小信號模型中，h參數(shù)的數(shù)量級一般為
圖1
圖2
例如，對高頻小功率硅管3dg6，在ic=1ma，ib=3μa，vce=5v時的h參數(shù)，通過實驗測得
由這些具體數(shù)字可見，hoe和hre相對而言是很小的，對于低頻放大電路，輸入回路中hrevce比vbe小得多，而輸出回路中負(fù)載電阻rc（或rl）比bjt輸出電阻1/hoe小得多，所以在模型中常?？梢园裩re和hoe忽略掉，這在工程計算上不會帶來顯著的誤差。同時采用習(xí)慣符號，用rbe代替hie并且b代替hfe，則圖1可簡化成圖2所示模型電路。利用這個簡化模型來表示bjt時，可使bjt放大電路的分析計算進(jìn)一步簡化。當(dāng)負(fù)載電阻rc（或rl）較小，滿足rc（或rl）< 0.1rce的條件時，利用這個簡化模型來分析低頻放大電路所得放大電路的各主要指標(biāo)，如電壓增益、電流增益、放大電路的輸入電阻ri及輸出電阻ro等，其誤差不會超過10%。