1、柵—源直流輸入電阻rgs
在漏-源兩極短路的情況下，外加?xùn)旁粗绷麟妷号c柵極直流電流之比即為柵—源直流輸入電阻rgs。由于mosfet是電壓控制元件，所以rgs很大，一般大于109ω，這是mosfet的優(yōu)點(diǎn)之一。
2、柵一源擊穿電壓ugs(br)
柵一源擊穿電壓是在增大mosfet的ugs的過程中，絕緣層擊穿，使ig迅速增大時(shí)的ugs(br)值。
3、最大漏極電流idm和最大耗散功率pdm
idm和pdm都是mosfet的極限參數(shù)，idm是管子正常工作時(shí)漏極電流的上限值。最大耗散功率pdm決定于管子允許的溫升。
4、低頻跨導(dǎo)gm
低頻跨導(dǎo)是在uds為某一固定值時(shí)，漏極電流微小變化δid和對應(yīng)輸入電壓變化量δugs之比，即
其單位常采用和ms。它的大小是轉(zhuǎn)換特性曲線在工作點(diǎn)處的切線的斜率，工作點(diǎn)位置不同，其數(shù)值也不同。低頻跨導(dǎo)gm表示ugs對id控制作用的強(qiáng)弱，是衡量mosfet放大能力的參數(shù)。