1，菜鳥問個(gè)關(guān)于固態(tài)硬盤和內(nèi)存做緩存的區(qū)別2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別3，ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別4，內(nèi)存和固態(tài)硬盤技術(shù)上一樣和不一樣的地方在哪里5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1，菜鳥問個(gè)關(guān)于固態(tài)硬盤和內(nèi)存做緩存的區(qū)別
現(xiàn)在的m2.固態(tài) 讀寫和io都已經(jīng)很接近內(nèi)存的預(yù)算夠的話沒有必要糾結(jié)區(qū)別如果是sata ssd 那么讀寫和io上還是沒有內(nèi)存盤高的主要區(qū)別就這里把內(nèi)存盤斷電數(shù)據(jù)丟失 固態(tài)盤斷電不影響數(shù)據(jù)搜一下：菜鳥，問個(gè)關(guān)于固態(tài)硬盤和內(nèi)存做緩存的區(qū)別
2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別
固態(tài)硬盤屬于硬盤，是用來存儲(chǔ)東西的。而內(nèi)存條是用來交換數(shù)據(jù)的。完全兩個(gè)性質(zhì)。當(dāng)你運(yùn)行程序時(shí)，這個(gè)程序就放在了硬盤上，運(yùn)行時(shí)是經(jīng)過內(nèi)存數(shù)據(jù)交換才打開的。明白了吧。望采納。內(nèi)存條，是ram，是隨機(jī)存儲(chǔ)器，速度極快，但關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)全部丟失。 固態(tài)硬盤，材質(zhì)是使用了flashrom，速度沒內(nèi)存快，但關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)不丟失。是速度和存儲(chǔ)功能介于內(nèi)存與硬盤之間的東西。 互相不能代替。
3，ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別
固態(tài)硬盤是沒有轉(zhuǎn)速的，機(jī)械硬盤才有轉(zhuǎn)速這個(gè)慨念。正常情況下固態(tài)比機(jī)械硬盤運(yùn)行速度快，但是用固態(tài)硬盤時(shí)有進(jìn)行4k對(duì)齊，才能充分發(fā)揮固態(tài)硬盤的作用。ssd固態(tài)硬盤比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤的讀寫速度更快 建議購買三星840evo呢不一樣，系統(tǒng)軟件安裝一般安裝在固態(tài)盤上。你用軟件測試了你的現(xiàn)在的硬盤速度能達(dá)到600嗎？測了看看你就知道需不需要換了。
4，內(nèi)存和固態(tài)硬盤技術(shù)上一樣和不一樣的地方在哪里
電腦的內(nèi)存和固態(tài)硬盤里的閃存，都屬于內(nèi)存，分別是兩類，內(nèi)存是ram，固態(tài)硬盤是rom，確切地講是flashrom。內(nèi)存速度快，但關(guān)機(jī)后所有信息會(huì)丟失；固態(tài)硬盤里的閃存速度慢，但關(guān)機(jī)后信息不消失。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（ram），只讀存儲(chǔ)器（rom） ，以及高速緩存（cache）。隨機(jī)存儲(chǔ)器（ram），就是人們常說的內(nèi)存，既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。內(nèi)存條（simm）就是將ram集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少ram集成塊占用的空間。目前市場上常見的內(nèi)存條有1g/條，2g/條，4g/條等。只讀存儲(chǔ)器（rom），在制造rom的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機(jī)器停電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。u盤和固態(tài)盤使用的都是rom中的一種，flashrom，簡單理解就是能寫入的rom，是一種特殊的rom。內(nèi)存是易失性存儲(chǔ)器，一旦電源被切斷，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)將全部丟失。而硬盤中的數(shù)據(jù)需要長期保存，即使電源中斷數(shù)據(jù)也不能丟失，更類似于u盤，因此二者的差別還是很大的。二者除了都使用電子元件來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)外，幾乎沒有共同點(diǎn)（機(jī)械硬盤使用磁盤來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，磁盤算不上是電子元件）。內(nèi)存和固態(tài)硬盤的區(qū)別太多了，拿主要的說下吧。1. 內(nèi)存顆粒使用的ram，也就是隨機(jī)存儲(chǔ)器，這種存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)是讀寫速度快，但缺點(diǎn)是掉電后所保留的數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而固態(tài)硬盤是用的flash存儲(chǔ)器，讀寫速度無ram快，但掉電后數(shù)據(jù)不丟失，且可以保留10年。2. 內(nèi)存的數(shù)據(jù)總線是并行接口，而固態(tài)硬盤則為sata串口接口3. 內(nèi)存使用的工作電壓較低，象現(xiàn)在的ddr3內(nèi)存使用電壓為1.35v，未來的ddr4據(jù)說是1.05v，而固態(tài)硬盤使用的工作電壓為5v。
5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少
內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)芯片是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。nand型閃存為例，它的隨機(jī)存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對(duì)區(qū)塊進(jìn)行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠(yuǎn)小于rambus的價(jià)格，因?yàn)橹圃炱胀╯dram的設(shè)備只需稍作改進(jìn)就能進(jìn)行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲(chǔ)速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點(diǎn)，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的，其實(shí)速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應(yīng)該就是沒有個(gè) 瓶頸所以有優(yōu)勢，但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -