1，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么2，三星固態(tài)盤960支持什么板3，三星970evo能裝筆記本嗎4，970evoplus游戲本一般溫度多少需要另購(gòu)散熱片嗎想買這款固態(tài)5，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別1，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么
三星nvme ssd 960 pro的接口依舊是標(biāo)準(zhǔn)的m.2接口，2280型號(hào)
2，三星固態(tài)盤960支持什么板
啥主板都支持，只要是板，目前這幾年的板都可以可以，游匣7557支持m.2 2280格式的固態(tài)。 三星這款就是這種格式
3，三星970evo能裝筆記本嗎
可以是可以，但是前提你的筆記本電腦主板必須支持nvme接口。。。如果是三星970 evo nvme m.2接口的固態(tài)硬盤，是可以安裝的。
4，970evoplus游戲本一般溫度多少需要另購(gòu)散熱片嗎想買這款固態(tài)
玩游戲建議在電腦下放一個(gè)散熱電風(fēng)扇，便宜好用，能解決電腦散熱問(wèn)題，可以玩的時(shí)間長(zhǎng)點(diǎn)都沒有問(wèn)題，提高使用壽命，避免硬件過(guò)早老化，如果玩的時(shí)間只個(gè)把小時(shí)是可以不用買的。這東西沒人能回答你，你以為某個(gè)型號(hào)會(huì)比另一個(gè)型號(hào)固定高多少度？你想得太簡(jiǎn)單了，同品牌同型號(hào)的顯卡都會(huì)因?yàn)轶w質(zhì)不同而導(dǎo)致溫度相差很大，更別說(shuō)不同品牌了。
先不說(shuō)體質(zhì)，就是不同類型的顯卡散熱器在不同風(fēng)道的機(jī)箱里表現(xiàn)也不一樣，比如一個(gè)人的gt710溫度40度，因?yàn)槟愕臋C(jī)箱散熱不如他的，這張卡裝到你的機(jī)箱里就是50度；然后那個(gè)人換成了gtx550ti，溫度是50度，然后這張gtx550ti又裝到了你的機(jī)箱里，因?yàn)檫@張卡的散熱器與你的機(jī)箱風(fēng)道比較兼容，所以在你這就是40度
5，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別
這個(gè)就簡(jiǎn)單啦,雖然使用上感覺的差距不是很明顯,不過(guò),就好像普通硬盤與服務(wù)器硬盤的對(duì)比:一個(gè)是普通產(chǎn)品,一個(gè)是高端旗艦型號(hào)!三星固態(tài)硬盤pro和evo簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)定位有所區(qū)別，pro定位高端旗艦型號(hào)，evo定位親民大眾型號(hào)。我從官方客服得到答案是，evo用的是閃存顆粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的閃存顆粒是samsung v-nand 2bit mlc，而實(shí)際samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc顆粒。所以可以總結(jié)為：pro主要采用的是可靠性和性能非常出色的mlc nand顆粒，evo而采用的是性價(jià)比且可靠性也非常高的3d tlc nand顆粒。到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些暈，我先給大家簡(jiǎn)單普及下。顆粒的傳統(tǒng)分類：slc、mlc、tlc簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，nand閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是以電荷的方式存儲(chǔ)在每個(gè)nand存儲(chǔ)單元內(nèi)的，slc、mlc及tlc就是存儲(chǔ)的位數(shù)不同。slc（single-level cell）單層式存儲(chǔ)每個(gè)存儲(chǔ)單元僅能儲(chǔ)存1bit數(shù)據(jù)，同樣，mlc（multi-level cell）可儲(chǔ)存2bit數(shù)據(jù)，tlc(trinary-level)可儲(chǔ)存3bit數(shù)據(jù)。一個(gè)存儲(chǔ)單元上，一次存儲(chǔ)的位數(shù)越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節(jié)約閃存的成本，提高nand的生產(chǎn)量。mlc的優(yōu)勢(shì)在于，tlc需要識(shí)別8種信號(hào)，而mlc只需要識(shí)別4種信號(hào)，可以花更少時(shí)間來(lái)讀取數(shù)據(jù)。因此，3d nand出現(xiàn)之前，mlc在性能和可靠性上，是高于tlc的。但是，隨著三星的3d tlc的出現(xiàn)，tlc與mlc的性能和可靠性逐漸拉小差距。3d nand閃存：三星的殺手锏級(jí)產(chǎn)品剛介紹的nand閃存不僅有slc、mlc和tlc類型之分，為了進(jìn)一步提高容量、降低成本，nand的制程工藝也在不斷進(jìn)步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進(jìn)工藝雖然帶來(lái)了更大的容量，但是nand閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時(shí)可靠性及性能都在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，nand的硅基越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來(lái)彌補(bǔ)，但這又會(huì)提高成本，以致于達(dá)到某個(gè)點(diǎn)之后制程工藝已經(jīng)無(wú)法帶來(lái)優(yōu)勢(shì)了。相比之下，3d nand解決問(wèn)題的思路就不一樣了，想要提高nand的容量、降低成本，廠商不需要費(fèi)勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來(lái)3d nand閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了。由于已經(jīng)向垂直方向擴(kuò)展nand密度，那就沒有繼續(xù)縮小晶體管的壓力了，所以三星可以使用相對(duì)更舊的工藝來(lái)生產(chǎn)3d nand閃存，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc?，F(xiàn)在三星已經(jīng)就這樣做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用舊工藝的好處就是p/e擦寫次數(shù)大幅提升，而且電荷干擾的情況也因?yàn)槭褂门f工藝而大幅減少。三星閃存顆粒過(guò)去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房間，就需要壓縮每個(gè)房間的空間。隨著租客越來(lái)越多，房間空間越來(lái)越小了，只能放一張床了，再繼續(xù)壓縮的話，人都住不了。怎么辦？聰明的建筑師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間?，F(xiàn)在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那么小的房間。3d nand閃存思想就是這樣的，不是一味的在一個(gè)平面提升閃存密度，而是堆積多個(gè)平面，達(dá)到提升閃存容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內(nèi)可容納的人就會(huì)更多，這點(diǎn)是同理的。由此我們也可以得出結(jié)論3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，現(xiàn)在不管購(gòu)買三星pro還是evo都不用過(guò)分考慮ssd閃存壽命問(wèn)題，可能電腦主機(jī)完全淘汰了ssd還健在，而從正常使用考慮三星evo采用3d tlc技術(shù)也足以應(yīng)對(duì)日常數(shù)據(jù)處理，追求更高性能的用戶則可以考慮三星pro系列產(chǎn)品，性能更為出色！以三星固態(tài)硬盤840 evo和840 pro區(qū)別為例，如下：
兩款固態(tài)硬盤的nand flash閃存芯片不同，840 evo采用的閃存芯片為tlc，840 pro采用的閃存芯片為mlc，后者無(wú)論從讀寫速度與使用壽命上都強(qiáng)于840 evo。