某陶瓷基片制造商采用伯東hakuto離子蝕刻機20ibe-j應(yīng)用于5g陶瓷基片銀薄膜減薄,通過蝕刻工藝把基片涂層銀薄膜刻蝕減薄,并降低工差,提高薄膜均勻性.
hakuto離子蝕刻機20ibe-j技術(shù)參數(shù)
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均勻性
±5%
硅片刻蝕率
20 nm/min
樣品臺
直接冷卻,水冷
離子源
φ20cm考夫曼離子源
hakuto離子刻蝕機20ibe-j的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的射頻離子源rficp220
伯東kri射頻離子源rficp 220技術(shù)參數(shù):
離子源型號
rficp 220
discharge
rficp射頻
離子束流
>800 ma
離子動能
100-1200 v
柵極直徑
20 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
推薦hakuto離子蝕刻機20ibe-j理由:
1. 客戶要求規(guī)?；a(chǎn), hakuto離子蝕刻機20ibe-j適合大規(guī)模量產(chǎn)使用
2. 刻蝕均勻性5%,滿足客戶要求
3. 硅片刻蝕率20 nm/min
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上海伯東:羅先生