晶體三極管和場效應管的飽和區(qū)是兩種完全不同的工作狀態(tài)，只是共同沿用了“飽和區(qū)”的名詞，同學們在學習這兩種半導體器件時千萬不能混淆。
晶體三極管和場效應管的飽和區(qū)是兩種完全不同的工作狀態(tài)，只是共同沿用了“飽和區(qū)”的名詞，同學們在學習這兩種半導體器件時千萬不能混淆。
場效應管工作在飽和區(qū)時，其條件除柵源電壓要求大于開啟電壓vgs>vt外（對增強型管講），還要求vgd<vt，即vds>vgs－vt。此時，場效應管的溝道已被預夾斷，溝道電阻幾乎全部集中在預夾斷處，溝道電流id將由外加電源vdd和外加電阻rd以及夾斷處電阻所決定。當電源電壓增加時，預夾斷處的長度與電源電壓同步增加，其電阻也成同步增加。在rd不變的條件下，表現(xiàn)出vds增加時，漏極電流id基本不變的恒流特性，這種現(xiàn)象也稱飽和?？梢姡瑘鲂艿娘枬M和區(qū)正是線性放大區(qū)，相當于晶體三極管的放大區(qū)。
晶體三極管飽和時，表現(xiàn)為je和jc二個pn結(jié)都為正向偏置，即vbe≈0.7v，vce<0.7v(指npn硅管)，此時，晶體三極管失去了放大能力，c—e間壓降很小。晶體三極管的這一工作區(qū)相當于場效應管的可變電阻區(qū)。
可見場效應管的飽和和晶體三極管的飽和是兩個完全不同的物理概念，在學習放大電路時一定要分清楚。