1，求大神推薦幾款ssd硬盤(pán)要slcflash芯片的謝謝了2，slc固態(tài)硬盤(pán)哪個(gè)牌子質(zhì)量比較好該買(mǎi)哪個(gè)牌子3，如何分別固態(tài)硬盤(pán)slc和mlc芯片型號(hào)4，slc ssd有哪些5，哪種ssd是slc mlc tlc1，求大神推薦幾款ssd硬盤(pán)要slcflash芯片的謝謝了
哥們根本沒(méi)必要，桌面級(jí)的都是mlc，你是不是覺(jué)得3000-1w次的寫(xiě)入壽命太少啊？那你可以買(mǎi)容量大一些的，比如120g以上的，每天寫(xiě)入60g計(jì)算，一年才用180多次~ 3000次夠你用多少年的~從你的提問(wèn)來(lái)看你是標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)黨啊，桌面級(jí)的ssd全是flash芯片，至于那個(gè)dram類(lèi)的ssd，普通用戶(hù)根本接觸不到這類(lèi)商品你好！slc的ssd很少，就那么幾個(gè)牌子，沒(méi)什么好推薦的，看intel有沒(méi)有僅代表個(gè)人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。
2，slc固態(tài)硬盤(pán)哪個(gè)牌子質(zhì)量比較好該買(mǎi)哪個(gè)牌子
便宜的，都不可靠。價(jià)格太低不可靠。并非所有的slc都好。就好像固態(tài)硬盤(pán)也有很多垃圾。slc的同容量，價(jià)格應(yīng)該是mlc的4倍以上。比如128的應(yīng)該是1200以上。但性能高不了4倍，而且如果是sata3接口，有帶寬限制，速度和mlc一樣。主要是壽命長(zhǎng)而已。所以，如果你不打算花這么多錢(qián)的話，其實(shí)根本不值得。按閃存芯片的寫(xiě)次數(shù)。一般情況下，slc型閃存芯片寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次，mlc型閃存芯片寫(xiě)次數(shù)為1萬(wàn)次。每次開(kāi)啟windows即使不主動(dòng)拷貝文件，都要對(duì)固態(tài)硬盤(pán)讀寫(xiě)很多次，所以想想其實(shí)這東西也不是很耐用。
3，如何分別固態(tài)硬盤(pán)slc和mlc芯片型號(hào)
如果是民用級(jí)別，基本沒(méi)有slc的，基本都是mlc的，唯一例外三星840是tlc的。其實(shí)看價(jià)格都能看出來(lái)，slc特別貴。非要看閃存貼牌，只能上網(wǎng)找拆盤(pán)的圖，從外觀或使用是看不出來(lái)的。存儲(chǔ)單元的類(lèi)型 slc的特點(diǎn)是成本高、容量小、速度快，而mlc的特點(diǎn)是容量大成本低，但是速度慢。mlc的每個(gè)單元是2bit的，相對(duì)slc來(lái)說(shuō)整整多了一倍。不過(guò)，由于每個(gè)mlc存儲(chǔ)單元中存放的資料較多，結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，出錯(cuò)的幾率會(huì)增加，必須進(jìn)行錯(cuò)誤修正，這個(gè)動(dòng)作導(dǎo)致其性能大幅落后于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的slc閃存。此外，slc閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫(xiě)次數(shù)高達(dá)100000次，比mlc閃存高10倍。此外，為了保證mlc的壽命，控制芯片都校驗(yàn)和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入次數(shù)可以平均分?jǐn)偅_(dá)到100萬(wàn)小時(shí)故障間隔時(shí)間(mtbf)。
4，slc ssd有哪些
目前已經(jīng)幾乎看不到了，除了服務(wù)器，高端用外，還有的一般都是二手diy用了，現(xiàn)在是mlc,tlc，到底這個(gè)成本便宜，方便大眾化。話說(shuō)，現(xiàn)在能看到的slc，大部分都是n年前的產(chǎn)品了。太高端的買(mǎi)不起，就不說(shuō)了。nand是目前閃存顆粒用的技術(shù)，ssd里面的存儲(chǔ)顆粒就是一顆顆nand flash（閃存）slc表示一種閃存顆粒的類(lèi)型，區(qū)別是最小存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲(chǔ)單元只區(qū)分2個(gè)電位（高低電位），等于只能存儲(chǔ)0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類(lèi)型的nand閃存就叫做slc。以此類(lèi)推，還有mlc：最小存儲(chǔ)單元區(qū)分4個(gè)電位，即00，01，10，11。tlc：區(qū)分8個(gè)電位。同樣一個(gè)最小的存儲(chǔ)單元，區(qū)分的電位越多，存儲(chǔ)密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc會(huì)比后面的貴得多，容量也不容易做大。但slc好處是：區(qū)分的電位越多，每個(gè)電位間區(qū)別越小，讀寫(xiě)速度越慢（難以識(shí)別和寫(xiě)入），壽命也越短（損耗一點(diǎn)點(diǎn)就錯(cuò)位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦寫(xiě)次數(shù)更多。目前的情況是，slc一般用于企業(yè)級(jí)ssd，以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤(pán)。mlc一般用于桌面級(jí)ssd。tlc的ssd因?yàn)榧夹g(shù)和可靠性的原因幾乎還沒(méi)有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤(pán)和存儲(chǔ)卡市場(chǎng)（因?yàn)閮r(jià)格戰(zhàn)太厲害，利潤(rùn)太低，沒(méi)人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存儲(chǔ)卡，u盤(pán)和存儲(chǔ)卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。
5，哪種ssd是slc mlc tlc
除了主控芯片和緩存芯片以外，pcb板上其余的大部分位置都是nand flash閃存芯片了。nand flash閃存芯片又分為slc（單層單元）和mlc（多層單元）nand閃存： 1.slc全稱(chēng)是單層式儲(chǔ)存 (single level cell），因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長(zhǎng)，傳統(tǒng)的slc nand閃存可以經(jīng)受10萬(wàn)次的讀寫(xiě)。而且因?yàn)橐唤M電壓即可驅(qū)動(dòng)，所以 英特爾固態(tài)硬盤(pán)(15張) 其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤(pán)都是都采用該類(lèi)型的flash閃存芯片。 2.mlc全稱(chēng)是多層式儲(chǔ)存（multi leveled cell），它采用較高的電壓驅(qū)動(dòng)，通過(guò)不同級(jí)別的電壓在一個(gè)塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤(pán)中應(yīng)用最為廣泛的mlc nand閃存，其最大的特點(diǎn)就是以更高的存儲(chǔ)密度換取更低的存儲(chǔ)成本，從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過(guò)，mlc的缺點(diǎn)也很明顯，其寫(xiě)入壽命較短，讀寫(xiě)方面的能力也比slc低，官方給出的可擦寫(xiě)次數(shù)僅為1萬(wàn)次。 3.tlc即triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲(chǔ)單元，因此可以以較低的成本實(shí)現(xiàn)更大的容量。具體來(lái)講，slc只有兩個(gè)電平狀態(tài)，mlc則為4個(gè)，tlc則多達(dá)8個(gè)，同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%，因此價(jià)格也便宜了33%。當(dāng)然良品率等因素也會(huì)對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響。 由于tlc擁有多達(dá)8個(gè)電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復(fù)雜，特別是寫(xiě)入速度會(huì)大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會(huì)非常容易導(dǎo)致出錯(cuò)，難以控制，這就是為什么需要更強(qiáng)ecc糾錯(cuò)能力的原因，否則tlc閃存的壽命將會(huì)不堪一擊。