1，魔獸世界ctm絕版問題2，為什么不耐用的tlc 顆粒取代mlc成了ssd主流3，cf為什么要有絕版道具扳手什么的才出多久就沒了這樣做的目的4，mlc與tlc顆粒的差別是什么5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎1，魔獸世界ctm絕版問題
dk馬還會掉的，老虎和龍沒了，烏鴉誰都能招，藍龍是成就弄出來的吧。1 stsm還會掉dk馬
2 恩 是的 5人隨即魔幻不在掉落魔王守護者的背包
3 ctm烏鴉不需要小d召喚了 任何職業(yè)都ok
4 這個 taq蟲子不知道 官方?jīng)]給說明 應(yīng)該還能掉
5 是辛迪加聲望取消 以崇拜會成為光輝事跡 未崇拜 會移除 而成就 會把這項聲望卻小
2，為什么不耐用的tlc 顆粒取代mlc成了ssd主流
其實簡單說就是價格低。還有就是現(xiàn)在tlc的技術(shù)基本能做到三年保修內(nèi)不損壞。所以廠家都開始大面積的使用了。每個單元存儲的數(shù)據(jù)比特(位)不一樣，其中slc只有一個，mlc是兩個，tlc則是三個。據(jù)說tlc壽命短 價格也低一點mlc性價比最高 slc速度快成本也高價格貴對于廠商來說 tlc比mlc成本低 目前貌似tlc的ssd也就三星在做 畢竟人家自己有廠 能做閃存顆粒推薦mlc 日常用完全足夠 開機快0.1秒慢0.1秒什么的沒什么區(qū)別
3，cf為什么要有絕版道具扳手什么的才出多久就沒了這樣做的目的
有些道只是為了參加活動提高玩家的積極性、買不到在一個忠于玩穿越的玩家來說更想得到、一旦有活動那肯定不會錯過、自然的服務(wù)器也就爆了，像近戰(zhàn)、鐵鍬玩家已經(jīng)玩膩了，好多玩家都不買了、總之只是提高玩家的參于、出絕版道具為的是一時吸引玩家，同時后續(xù)活動會以獎品的方式來獲得，總之就是為了吸引玩家，這兒是一種運營的手段。
top5為您解答，如果您滿意，請五星采納，o(∩_∩)o謝謝騰訊就是要防止有些道具泛濫,物以稀為為貴,出于對游戲長期運轉(zhuǎn)作的一手準備
4，mlc與tlc顆粒的差別是什么
1.在u盤、ssd等固態(tài)存儲產(chǎn)品中，閃存芯片顆粒是核心，其關(guān)乎產(chǎn)品成本、壽命以及速度。閃存芯片顆粒主要有三種類型，分別為slc、mlc、tlc，三者之間的區(qū)別，如下。slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。2.目前大多數(shù)u盤都是采用tcl芯片顆粒，其優(yōu)點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。在u盤、ssd等固態(tài)存儲產(chǎn)品中，閃存芯片顆粒是核心，其關(guān)乎產(chǎn)品成本、壽命以及速度。閃存芯片顆粒主要有三種類型，分別為slc、mlc、tlc，三者之間的區(qū)別，如下。slc、mlc、tlc閃存芯片顆粒區(qū)別介紹slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。
5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎
經(jīng)過3-4年的發(fā)展，如今固態(tài)硬盤已經(jīng)成為很多用戶垂延的it產(chǎn)品 ，大家不再糾結(jié)它容量太小，而是更加依賴它高速讀寫能力。雖然用戶開始關(guān)注ssd硬盤 固態(tài)硬盤flash顆粒 要認清問題，首先要搞明白什么是slc和mlc，它們屬于兩種不同類型的nand flash存儲器，用來作為mp3播放器、u盤、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品的存儲介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于slc每一個單元，只能存儲一位數(shù)據(jù)，mlc每一個單元可以存儲兩位數(shù)據(jù)，mcl的數(shù)據(jù)密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 這樣在nand flash的底層存儲上就引出了兩種不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它們之間各有優(yōu)缺點，現(xiàn)在在各類產(chǎn)品中都有采用。下面這樣表格可以較為直觀的展示出他們性能區(qū)別。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一個flash存儲單元只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號，所以slc最大的驅(qū)動電壓可以做到很低。slc結(jié)構(gòu)簡單，用一組變化電壓驅(qū)動，速度很快同時壽命較長也更為可靠，不過這種一個block只存儲一組數(shù)據(jù)的模式無法在相同的晶圓面積上實現(xiàn)較高的存儲密度，存儲容量提高完全依賴芯片工藝的提升。 slc芯片mlc閃存芯片 mlc故名思義在存儲單元中實現(xiàn)多位存儲能力，典型的是2bit。它通過不同級別的電壓在一個單元中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。因為電壓變化更頻繁，所以mlc技術(shù)的flash在壽命方面遠劣于slc，同時它的讀寫速度不如slc，一個block存儲兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長的時間，這里面還有電壓控制、crc寫入方式等因素需要考慮。 slc和mlc電壓驅(qū)動的存儲能力區(qū)別 顯而易見，slc在壽命和性能方面擁有獨特的優(yōu)勢，不過需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而mlc雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢，但在速度和壽命方面存在先天的不足。這就區(qū)格了它們的應(yīng)用，slc用在不計成本追求速度和可靠性的企業(yè)級產(chǎn)品中，mlc更適合在消費級產(chǎn)品中部署。