晶體分析管在晶體定向上的運(yùn)用
x射線晶體定向儀利用x射線衍射原理，使用晶體分析管放射出x射線，對(duì)天然和人造單晶（壓電晶體，光學(xué)晶體，激光晶體，半導(dǎo)體晶體）精密快速地測定切割角度，與切割機(jī)配套可用于上述晶體的定向切割，是精密加工制造晶體器件的常用儀器。
x射線管包括真空封閉件,設(shè)置在該封閉件中并發(fā)射電子束的電子束源,被電子束照射并產(chǎn) 生主x射線的目標(biāo)件,x射線檢測器裝置,以及設(shè)置在窗口一部分的 上方并從目標(biāo)件延伸到上述封閉件的金屬熱電導(dǎo)體單元。
晶體管的電壓差接近晶體管飽和壓時(shí)，晶體管處于飽和狀態(tài)；晶體管的電壓差接近供電電壓時(shí)，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)狀態(tài)；其余狀態(tài)下晶體管處于放大狀態(tài)。
在放大電路中：對(duì)于共發(fā)射極電路中的晶體管，集電極電壓應(yīng)該在電源電壓的約1/2處，過高容易出現(xiàn)截止失真，過低容易出現(xiàn)飽和失真。對(duì)于共基極電路中的晶體管，基極電壓應(yīng)該在電源電壓的約1/2處，過高容易出現(xiàn)截止失真，過低容易出現(xiàn)飽和失真。
晶體定向就是在晶體上建立一個(gè)坐標(biāo)系，由x, y, z 軸組成。x, y, z 軸也稱為晶軸或結(jié)晶主軸。晶體定向的作用是晶體定向后就可以對(duì)晶體上所有的面、線等進(jìn)行標(biāo)定，給出這些面、線的晶體學(xué)方向性符號(hào)。晶體定向是研究晶體各種物理性質(zhì)（光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等）方向性的基礎(chǔ)。