反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力，其測試時(shí)的原理電路如圖1所示。
圖1 三極管擊穿電壓的測試電路
1. v(br)cbo——發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)br代表擊穿之意，是breakdown的字頭，c、b代表集電極和基極，o代表第三個(gè)電極e開路。
2. v(br)ebo——集電極開路時(shí)發(fā)射結(jié)的擊穿電壓。
3. v(br)ceo——基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。
對于v(br)cer表示be間接有電阻，v(br)ces表示be間是短路的。幾個(gè)擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系：
v(br)cbo≈v(br)ces＞v(br)cer＞v(br)ceo＞v(br)ebo
由最大集電極功率損耗pcm、icm和擊穿電壓v(br)ceo，在輸出特性曲線上還可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖2。
圖2 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū)