1，為什么tlc固態(tài)硬盤越2，tlc的固態(tài)硬盤是不是讀寫壽命比較短3，固態(tài)硬盤mlc tlc slc怎么分別4，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1，為什么tlc固態(tài)硬盤越
慎買使用tlc的固態(tài)硬盤，眾所周知tlc壽命非常短， 使用tlc的有三星850 evo、閃迪至尊高速ii、ocz trion 100、東芝q300、金泰克t-one、威剛sp550、影馳鐵甲戰(zhàn)將、金士頓等固態(tài)硬盤的快慢，主要取決于主控，然后是閃存。 tlc這個(gè)閃存主要是壽命低，并不是速度有多差。tlc和mlc的速度差不多的。 至于sml，估計(jì)你寫錯(cuò)，是想寫slc嗎？ 這種盤，民用市場(chǎng)上幾乎沒有，有也是垃圾slc。 一樣的主控，肯定是合格的slc比tlc快，但實(shí)際上快不到哪里，主要是壽命長好多倍。
2，tlc的固態(tài)硬盤是不是讀寫壽命比較短
由于tlc顆粒成本較低，許多主流固態(tài)硬盤都生產(chǎn)tlc的固態(tài)硬盤。而比起mlc的固態(tài)，tlc價(jià)格上也有一定優(yōu)勢(shì)。我查過，tlc顆粒理論壽命為1000pe，用戶擔(dān)心tlc壽命短，很多人不敢買，甚至認(rèn)為在讀寫次數(shù)上mlc更“長壽”。后來我查了一下，為了總結(jié)這個(gè)留言。中關(guān)村進(jìn)行了一項(xiàng)長達(dá)3個(gè)月的試驗(yàn)，測(cè)試的就是tlc的耐久度。到第四階段為止已經(jīng)寫入200tb數(shù)據(jù)，牛逼吧→_→在測(cè)試中所使用的所有ssd沒有出現(xiàn)任何質(zhì)量問題。因?yàn)槲也皇亲鰪V告只是引用，所有就不給出傳送門了。就給出文章名字吧《tlc ssd耐久第四階段200tb寫入報(bào)告出爐》由此可見，tlc在寫入次數(shù)上實(shí)際上并不低。我們一般的用戶根本無需考慮tlc顆粒固態(tài)硬盤壽命問題，可以放心使用明白了吧？這是一個(gè)常見的誤區(qū)啊
3，固態(tài)硬盤mlc tlc slc怎么分別
1、slc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放1位元，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命.2、mlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命.3、tlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放3位元，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)比特(位)不一樣，其中slc只有一個(gè)，mlc是兩個(gè)，tlc則是三個(gè)。據(jù)說tlc壽命短 價(jià)格也低一點(diǎn)mlc性價(jià)比最高 slc速度快成本也高價(jià)格貴對(duì)于廠商來說 tlc比mlc成本低 目前貌似tlc的ssd也就三星在做 畢竟人家自己有廠 能做閃存顆粒推薦mlc 日常用完全足夠 開機(jī)快0.1秒慢0.1秒什么的沒什么區(qū)別1、slc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放1位元，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命. 2、mlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10...展開
4，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選
從貴到便宜是slc、mlc、tlc（也叫3 bit mlc），壽命從長到短也是這個(gè)順序?，F(xiàn)在個(gè)人家用也就mlc和tlc了，壽命都能滿足，tlc的便宜一些。不過選擇ssd應(yīng)該同時(shí)注重品牌、銷量、性能、兼容性等等，不能只看芯片。slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500-1000次擦寫壽命。3 bit mlc是三星的叫法，理論上可以視為tlc。三星由于在半導(dǎo)體上游的優(yōu)勢(shì)和先進(jìn)的技術(shù)，所以三星的3 bit mlc比一般的tlc壽命要好得多！請(qǐng)注意，以上只是純理論，看看就行了?。?！至于選擇什么樣的ssd，要從ssd的發(fā)展來看。最開始的ssd是slc芯片，壽命高但是價(jià)格更高，根本就沒法普及；后來mlc芯片的ssd上市，因?yàn)閮r(jià)格便宜了，所以一般家庭用戶用的起了，當(dāng)然相比slc芯片，mlc的性能也不錯(cuò)，所以ssd在這個(gè)時(shí)期得到了飛速的發(fā)展，其中最著名的就是三星的830、美光的m4；從2012年開始，一些技術(shù)牛的廠商開始嘗試tlc芯片的ssd，代表性的產(chǎn)品就是840，因?yàn)樾阅懿诲e(cuò)，壽命夠用
5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么
構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命。2、mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000—10000次擦寫壽命。3、tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，有不少人認(rèn)為單純看主控就可以知道ssd的性能，其實(shí)這是錯(cuò)誤的，就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣，用的都是sandforce sf-2281主控，但是通過不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品，相互之間性能差異比較大，可見ssd所用的固件與閃存種類都是對(duì)其性能有相當(dāng)大影響的。tlc是閃存一種類型，全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級(jí)芯片。讀寫速度：采用h2testw v1.4測(cè)試，三星mlc寫入速度: 4.28-5.59 mbyte/s，讀取速度: 12.2-12.9 mbyte/s。三星slc寫入速度: 8.5mbyte/s，讀取速度: 14.3mbyte/s。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。面是slc、mlc、tlc三代閃存的壽命差異slc 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息，約10萬次擦寫壽命。mlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息，約一萬次擦寫壽命，slc-mlc【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。tlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，mlc-tlc【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。閃存產(chǎn)品壽命越來越短，現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)有tlc閃存做的產(chǎn)品了鑒于slc和mlc或tlc閃存壽命差異太大強(qiáng)烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標(biāo)明是slc和mlc或tlc閃存產(chǎn)品許多人對(duì)閃存的slc和mlc區(qū)分不清。就拿目前熱銷的mp3隨身聽來說，是買slc還是mlc閃存芯片的呢？在這里先告訴大家，如果你對(duì)容量要求不高，但是對(duì)機(jī)器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機(jī)器壽命等方面要求較高，那么slc閃存芯片的首選。但是大容量的slc閃存芯片成本要比mlc閃存芯片高很多，所以目前2g以上的大容量，低價(jià)格的mp3多是采用mlc閃存芯片。大容量、低價(jià)格的mlc閃存自然是受大家的青睞，但是其固有的缺點(diǎn)，也不得不讓我們考慮一番。什么是mlc？mlc英文全稱（multi level cell——mlc)即多層式儲(chǔ)存。主要由東芝、renesas、三星使用。英特爾（intel）在1997年9月最先開發(fā)成功mlc，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)floatinggate（閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（level）的電荷，通過內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。mlc通過使用大量的電壓等級(jí)，每個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。slc架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而mlc架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此，mlc架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度。與slc比較mlc的優(yōu)勢(shì)：簽于目前市場(chǎng)主要以slc和mlc儲(chǔ)存為主，我們多了解下slc和mlc儲(chǔ)存。slc架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而mlc架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此mlc架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。與slc相比較，mlc生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進(jìn)，mlc的讀寫