vishay trenchfet? gen v mosfet
●節(jié)省空間型器件所需 pcb 空間比 powerpair 6x5f 封裝減少 63%
●有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)
威世科技推出兩款新型30 v對稱雙通道n溝道功率mosfet，將高邊和低邊 trenchfet? gen v mosfet組合在3.3mm x 3.3 mmpowerpair? 3x3fs單體封裝中。vishay siliconix sizf5300dt 和 sizf5302dt 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)。
威世科技推出30v對稱雙通道m(xù)osfet
目前發(fā)布的雙通道 mosfet 可用來取代兩個(gè) powerpak 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時(shí)占位面積比 powerpair 6x5f 封裝雙片 mosfet 減小 63%。mosfet 為 usb-c 電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(pol)轉(zhuǎn)換電路和 dc/dc 模塊設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間。這些應(yīng)用中，sizf5302dt 高低邊 mosfet 提供了 50% 占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在 1 a 到 4 a 電流條件下。而 sizf5300dt 則是 12 a 到 15 a 重載的理想解決方案。
sizf5300dt 和 sizf5302dt 利用 vishay 的 30 v gen v 技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。sizf5300dt 10 v 和 4.5 v 下典型導(dǎo)通電阻分別為 2.02 mω 和 2.93 mω， sizf5302dt 相同條件下導(dǎo)通電阻分別為 2.7 mω 和 4.4 mω。兩款 mosfet 4.5 v 條件下典型柵極電荷分別為 9.5 nc 和 6.7 nc。超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即 mosfet 功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(fom)，比相似導(dǎo)通電阻的前代解決方案低 35 %。高頻開關(guān)應(yīng)用效率提高 2%，100 w 能效達(dá)到 98%。
與前代解決方案對比
威世科技推出30v對稱雙通道m(xù)osfet
器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，獨(dú)特的引腳配置有助于簡化 pcb 布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。sizf5300dt 和 sizf5302dt 經(jīng)過 100% rg 和 uis 測試，符合 rohs 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。