1，推薦一款slc的固態(tài)硬盤之前看中了三星的evo850不過聽說是tlc2，求大神推薦幾款ssd硬盤要slcflash芯片的謝謝了3，slc ssd有哪些4，哪種ssd是slc mlc tlc5，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些1，推薦一款slc的固態(tài)硬盤之前看中了三星的evo850不過聽說是tlc
你說呢...沒有必要追求slc，太貴了，一般mlc的就夠了，再怎么說，正常用十來年也不算短了。推薦浦科特m6s
2，求大神推薦幾款ssd硬盤要slcflash芯片的謝謝了
哥們根本沒必要，桌面級的都是mlc，你是不是覺得3000-1w次的寫入壽命太少??？那你可以買容量大一些的，比如120g以上的，每天寫入60g計算，一年才用180多次~ 3000次夠你用多少年的~從你的提問來看你是標準的數(shù)據(jù)黨啊，桌面級的ssd全是flash芯片，至于那個dram類的ssd，普通用戶根本接觸不到這類商品你好！slc的ssd很少，就那么幾個牌子，沒什么好推薦的，看intel有沒有僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。
3，slc ssd有哪些
目前已經(jīng)幾乎看不到了，除了服務(wù)器，高端用外，還有的一般都是二手diy用了，現(xiàn)在是mlc,tlc，到底這個成本便宜，方便大眾化。話說，現(xiàn)在能看到的slc，大部分都是n年前的產(chǎn)品了。太高端的買不起，就不說了。nand是目前閃存顆粒用的技術(shù)，ssd里面的存儲顆粒就是一顆顆nand flash（閃存）slc表示一種閃存顆粒的類型，區(qū)別是最小存儲單元可以存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲單元只區(qū)分2個電位（高低電位），等于只能存儲0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類型的nand閃存就叫做slc。以此類推，還有mlc：最小存儲單元區(qū)分4個電位，即00，01，10，11。tlc：區(qū)分8個電位。同樣一個最小的存儲單元，區(qū)分的電位越多，存儲密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc會比后面的貴得多，容量也不容易做大。但slc好處是：區(qū)分的電位越多，每個電位間區(qū)別越小，讀寫速度越慢（難以識別和寫入），壽命也越短（損耗一點點就錯位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦寫次數(shù)更多。目前的情況是，slc一般用于企業(yè)級ssd，以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤。mlc一般用于桌面級ssd。tlc的ssd因為技術(shù)和可靠性的原因幾乎還沒有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤和存儲卡市場（因為價格戰(zhàn)太厲害，利潤太低，沒人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存儲卡，u盤和存儲卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。
4，哪種ssd是slc mlc tlc
除了主控芯片和緩存芯片以外，pcb板上其余的大部分位置都是nand flash閃存芯片了。nand flash閃存芯片又分為slc（單層單元）和mlc（多層單元）nand閃存： 1.slc全稱是單層式儲存 (single level cell），因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的slc nand閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅(qū)動，所以 英特爾固態(tài)硬盤(15張) 其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的flash閃存芯片。 2.mlc全稱是多層式儲存（multi leveled cell），它采用較高的電壓驅(qū)動，通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的mlc nand閃存，其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本，從而可以獲得進入更多終端領(lǐng)域的契機。不過，mlc的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比slc低，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。 3.tlc即triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現(xiàn)更大的容量。具體來講，slc只有兩個電平狀態(tài)，mlc則為4個，tlc則多達8個，同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%，因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產(chǎn)生影響。 由于tlc擁有多達8個電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復(fù)雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會非常容易導(dǎo)致出錯，難以控制，這就是為什么需要更強ecc糾錯能力的原因，否則tlc閃存的壽命將會不堪一擊。
5，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些
基本上都是這種。就好比你再問，現(xiàn)在非曲屏手機有哪些？那不就忒好找了嗎？曲屏手機只有5粗攏共6款手機，剩余的海量手機都是非曲屏的手機。是一個意思。分為slc/mlc/tlc，而隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態(tài)硬盤上單體的存儲單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了，更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達極限了，要想進一步擴大單die的可用容量，就必須在技術(shù)上進行創(chuàng)新。?晶圓物理容量已接近極限于是，3d nand技術(shù)也就應(yīng)運而生了。在解釋3d nand之前，我們先得弄清楚2d nand是什么，以及“2d”和“3d”的真實含義。首先是2d nand，我們知道在數(shù)學和物理領(lǐng)域，2d/3d都是指的方向，都是指的坐標軸，“2d”指的是平面上的長和寬，而“3d”則是在“2d”基礎(chǔ)上，添加了一個垂直方向的“高”的概念。由此，2d nand真實的含義其實就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式，是按照傳統(tǒng)二維平面模式進行排列閃存顆粒的。相對應(yīng)的，3d nand則是在二維平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進行顆粒的排列，即將原本平面的堆疊方式，進行了創(chuàng)新。利用新的技術(shù)(即3d nand技術(shù))使得顆粒能夠進行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進一步擴大單die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積，進一步推動了存儲顆?？傮w容量的飆升。第一款：美光(micron)旗下品牌 英睿達(crucial) bx300系列 sata ssd第二款：建興(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款：金士頓(kingston) ms200系列 sata ssd第四款：金泰克（tigo）s520系列 sata ssd