igbt (insulated gate bipolar transistor)是一種高壓、高功率、高速度的半導(dǎo)體開關(guān)器件，它在控制電路上具有fet的優(yōu)點(diǎn)，在輸出端上則具有bjt的特點(diǎn)，是目前功率開關(guān)元件中最主流的一種。igbt廣泛應(yīng)用于變頻器、電力變換器、ups等各種電力電子系統(tǒng)中。
igbt開啟過程是指igbt從關(guān)態(tài)到導(dǎo)通態(tài)轉(zhuǎn)化的過程。由于igbt具有高速開關(guān)和瞬時(shí)短路的復(fù)雜特性，因此其開啟過程也被分析為以下4個(gè)階段：
1. 沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)的條件下，igbt處于關(guān)態(tài)；
2. 當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)被應(yīng)用于門極時(shí)，由于門極和源極間的電容，有限的電流流過門極，對igbt進(jìn)行初步激發(fā)；
3. 當(dāng)vce逐漸減少到零點(diǎn)，并且初步激發(fā)后的載流子開始形成條件導(dǎo)體時(shí)，發(fā)生均衡晶體管行為，即igbt開始進(jìn)入放大狀態(tài)；
4. 當(dāng)$v_{ce}$降低到飽和電壓時(shí)，晶體管開始處于飽和狀態(tài)，這時(shí)載流子激增，并且$\frac{dic}{dt}$增加，進(jìn)而達(dá)到最大輸出電流的狀態(tài)，igbt開始穩(wěn)定工作。
在igbt的開啟過程中，需要注意的是，因?yàn)閕gbt具有較大的阻抗和容性，因此其開啟過程也是一個(gè)能量轉(zhuǎn)化的過程，需要消耗一定的時(shí)間和能量。因此，為了實(shí)現(xiàn)快速開啟和工作穩(wěn)定，需要采用合適的驅(qū)動(dòng)電路和控制算法。
總之，igbt開啟是一個(gè)涉及電容、電流和電勢的復(fù)雜過程，必須掌握其開啟機(jī)理，才能更好地應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。