一份電路在其輸出端串接了一個22k的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10m的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個線性運算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另外180度的相移，整個環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。
晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在m歐級，輸出端的電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動，損壞晶振。
和晶振串聯(lián)的電阻常用來預(yù)防晶振被過分驅(qū)動。晶振過分驅(qū)動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drive level調(diào)整用。用來調(diào)整drive level和發(fā)振余裕度。
xin和xout的內(nèi)部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅(qū)動晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向 180度反饋到輸入端形成負(fù)反饋,構(gòu)成負(fù)反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯(lián)關(guān)系,自己想一下是電阻大還是電阻小對晶體的阻抗影響小大?
電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當(dāng)晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經(jīng)試驗此電路的穩(wěn)定性時，試過從100k～20m都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。
晶體的q值非常高, q值是什么意思呢? 晶體的串聯(lián)等效阻抗是 ze = re + jxe, re<< |jxe|, 晶體一般等效于一個q很高很高的電感，相當(dāng)于電感的導(dǎo)線電阻很小很小。q一般達(dá)到10^-4量級。
避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百k。
串進(jìn)去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進(jìn)去的兩顆電容根據(jù)lz的晶振為幾十mhz一般是在20~30p左右，主要用與微調(diào)頻率和波形，并影響幅度，并進(jìn)去的電阻就要看 ic spec了，有的是用來反饋的，有的是為過emi的對策
可是轉(zhuǎn)化為 并聯(lián)等效阻抗后，re越小，rp就越大，這是有現(xiàn)成的公式的。晶體的等效rp很大很大。外面并的電阻是并到這個rp上的，于是，降低了rp值 -----> 增大了re -----> 降低了q
關(guān)于晶振
石英晶體振蕩器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時鐘信號和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號。
1.匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。
2.負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
3.一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高。
4.負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接ic塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。