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據(jù)央視《朝聞天下》報(bào)道，總投資240億美元的國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。
據(jù)悉，2020年全面建成后，年產(chǎn)值將突破100億美元，實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展的突破。
國(guó)家記憶基地項(xiàng)目位于武漢市東湖高新區(qū)武漢未來(lái)科技城。將建設(shè)三座全球單體潔凈面積最大的3d nand flash fab廠房、一棟總部研發(fā)大樓及多棟配套大樓。每平方米的核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備投資強(qiáng)度超過(guò)30,000美元。
項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年全部建成，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元.
存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)的規(guī)模經(jīng)濟(jì)和先進(jìn)制造技術(shù)，也是我國(guó)進(jìn)口額最大的集成電路產(chǎn)品。
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