(1)主存儲器的兩個重要技術指標
◎讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔。
◎存儲容量：通常用構成存儲器的字節(jié)數(shù)或字數(shù)來計量。
(2)主存儲器與cpu及外圍設備的連接
是通過地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線進行連接，見下圖
主存儲器與cpu的連接
◎地址總線用于選擇主存儲器的一個存儲單元，若地址總線的位數(shù)k，則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪問1mb的存儲單元。
◎數(shù)據(jù)總線用于在計算機各功能部件之間傳送數(shù)據(jù)。
◎控制總線用于指明總線的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。
(3)主存儲器分類
◎按信息保存的長短分：rom與ram
◎按生產(chǎn)工藝分：靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器
靜態(tài)存儲器(sram)：讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲器。
動態(tài)存儲器(dram)：讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲器。
靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器主要性能比較如下表：
靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片特性比較
sram dram
存儲信息 觸發(fā)器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發(fā)熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態(tài)存儲器的定期刷新：在不進行讀寫操作時，dram 存儲器的各單元處于斷電狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容cs 上的電荷會慢慢地漏掉，為此必須定時予以補充，稱為刷新操作。