場效應(yīng)晶體管：英文名稱為field effect transistor，縮寫為fet，簡稱場效應(yīng)管。
各類場效應(yīng)管根據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體材料，可分為n型溝道和p型溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。
半導(dǎo)體的場效應(yīng)，是在半導(dǎo)體表面的垂直方向上加一電場時，電子和空穴在表面電場作用下發(fā)生運動，半導(dǎo)體表面載流子的重新分布，因而半導(dǎo)體表面的導(dǎo)電能力受到電場的作用而改變，即改變?yōu)榧与妷旱拇笮『头较颍梢钥刂瓢雽?dǎo)體表面層中多數(shù)載流子的濃度和類型，或控制pn結(jié)空間電荷區(qū)的寬度，這種現(xiàn)象稱半導(dǎo)體的場效應(yīng)。
場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點：
（1）輸入阻抗高；
（2）輸入功耗??；
（3）溫度穩(wěn)定性好；
（4）信號放大穩(wěn)定性好，信號失真小；
（5）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
根據(jù)構(gòu)造和工藝的不同，場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣型兩大類。
結(jié)型場效應(yīng)管
圖十一(a)是結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖十一(b)是n型導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管的電路符號。
在兩個高摻雜的p區(qū)中間，夾著一層低摻雜的n區(qū)（n區(qū)一般做得很薄），形成了兩個pn結(jié)。在n區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個p區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩個p區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個場效應(yīng)管。從n型區(qū)引出的兩個電極分別為源極s和漏極d，從兩個p區(qū)引出的電極叫柵極g，很薄的n區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。
絕緣柵型場效應(yīng)管
絕緣柵型場效應(yīng)管又分為增強型和耗盡型兩種，我們稱在正常情況下導(dǎo)通的為耗盡型場效應(yīng)管，在正常情況下斷開的稱增強型效應(yīng)管。增強型場效應(yīng)管特點：當vgs = 0時id(漏極電流) = 0，只有當vgs增加到某一個值時才開始導(dǎo)通，有漏極電流產(chǎn)生。并稱開始出現(xiàn)漏極電流時的柵源電壓vgs為開啟電壓。
耗盡型場效應(yīng)管的特點，它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作，而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻)。
結(jié)型柵場效應(yīng)管應(yīng)用的電路可以使用絕緣柵型場效應(yīng)管，但絕緣柵增強型場效管應(yīng)用的電路不能用結(jié)型 柵場效應(yīng)管代替。