本文主要介紹簡(jiǎn)要說(shuō)明ram和rom的主要區(qū)別(ram和rom各有什么特點(diǎn))，下面一起看看簡(jiǎn)要說(shuō)明ram和rom的主要區(qū)別(ram和rom各有什么特點(diǎn))相關(guān)資訊。
說(shuō)起ram，相信大家都略知一二，但是你知道各種ram的原理和區(qū)別嗎？
一.導(dǎo)言
在計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)非常重要的部分，那就是內(nèi)存。內(nèi)存是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件。對(duì)于電腦來(lái)說(shuō)，只有有了內(nèi)存，才有記憶功能，才能保證正常工作。
存儲(chǔ)器有很多種，按用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。主存簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存，內(nèi)存在計(jì)算機(jī)中起著重要的作用。通常，使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元。因?yàn)閞am是最重要的內(nèi)存，所以我們通常直接稱(chēng)之為內(nèi)存。
內(nèi)存是存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的地方。例如，當(dāng)我們使用wps處理文檔時(shí)，當(dāng)你在鍵盤(pán)上鍵入字符時(shí)，它會(huì)存儲(chǔ)在內(nèi)存中。當(dāng)您選擇保存磁盤(pán)時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)將被存儲(chǔ)到硬盤(pán)中。
第二，關(guān)于ram
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。ram也叫內(nèi)存，與rom相比，兩者最大的區(qū)別在于，ram中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)自動(dòng)消失，而rom不會(huì)自動(dòng)消失，因此可以在不斷電的情況下保存很長(zhǎng)時(shí)間。
3、對(duì)靜電敏感
像其他精細(xì)集成電路一樣，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾內(nèi)存中電容的充電，造成數(shù)據(jù)丟失，甚至燒壞電路。因此，在觸摸風(fēng)筒之前，應(yīng)該用手觸摸金屬地面。
4.存取速率
現(xiàn)代隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度幾乎是所有存取設(shè)備中最快的，存取延遲與其他涉及機(jī)械操作的存儲(chǔ)設(shè)備相比微不足道。
5.需要刷新
現(xiàn)代隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依靠電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。充滿電的電容代表1，未充電的電容代表0。因?yàn)殡娙莼蚨嗷蛏贂?huì)漏電，如果不做特殊處理，隨著時(shí)間的推移，數(shù)據(jù)會(huì)逐漸丟失。
刷新就是在指定的周期內(nèi)讀取電容的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)復(fù)位到sram)
靜態(tài)存儲(chǔ)單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上增加門(mén)控制而形成的。因此，它通過(guò)觸發(fā)器的自我保護(hù)功能來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。我們通常可以在一些開(kāi)發(fā)板上看到它，比如issi芯片。
2.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
動(dòng)態(tài)ram的存儲(chǔ)矩陣由動(dòng)態(tài)mos存儲(chǔ)單元組成。動(dòng)態(tài)mos存儲(chǔ)單元利用mos管的柵電容來(lái)存儲(chǔ)信息，但由于柵電容的容量很小，漏電流不可能絕對(duì)等于0，所以電荷的存儲(chǔ)時(shí)間有限。
為了避免存儲(chǔ)信息的丟失，需要定期給電容補(bǔ)充泄漏的電荷。這種操作通常被稱(chēng)為 刷新 or 再生 ，所以dram內(nèi)部應(yīng)該有刷新控制電路，其操作比靜態(tài)ram更復(fù)雜。
然而，由于dram存儲(chǔ)列表元結(jié)構(gòu)可以做得非常簡(jiǎn)單，元器件少，功耗低，已經(jīng)成為大容量ram的主流產(chǎn)品。
第四，關(guān)于sdram
看到這里，有些讀者可能會(huì)想:sdram = sram dram，這其實(shí)是錯(cuò)誤的。sdram:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。sdram是具有同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。
同步是指內(nèi)存需要一個(gè)同步時(shí)鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都是基于它；動(dòng)態(tài)意味著存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新，以確保數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是按線性順序存儲(chǔ)，而是按指定地址讀寫(xiě)。
目前168線64位帶寬存儲(chǔ)器基本采用sdram芯片，工作電壓3.3v，存取速度高達(dá)7.5ns，而最快的edo存儲(chǔ)器為15ns。ram和cpu控制在同一時(shí)鐘頻率，使ram和cpu的外部頻率同步，取消了等待時(shí)間，所以其傳輸速率比edo dram快。
sdram從發(fā)展至今已經(jīng)經(jīng)歷了五代，即第一代sdr sdram、第二代ddr sdram、第三代ddr2 sdram、第四代ddr3 sdram、第五代ddr4 sdram。
第一代sdram采用單端時(shí)鐘信號(hào)，第二、三、四代由于工作頻率更快，采用差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘來(lái)減少干擾。
五、sram的區(qū)別靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，主要依靠觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，不需要刷新。而dram則是一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，依靠mosfet中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，需要不斷刷新來(lái)補(bǔ)充放電的電荷。
因?yàn)閱喂芸梢詫?shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所以集成度可以更高，功耗更低，更主流。需要注意的是，dram的存取速度沒(méi)有sram快，因?yàn)樗⑿律婕暗诫娙莸某浞烹娺^(guò)程。
至于sdram，它是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，屬于dram的一種，工作過(guò)程需要同步時(shí)鐘的配合。因此，可以忽略不同路徑延誤的影響，避免不確定性。普通dram屬于異步傳輸。當(dāng)訪問(wèn)數(shù)據(jù)時(shí)，它必須等待幾個(gè)時(shí)鐘才能運(yùn)行(考慮到不確定狀態(tài))，因?yàn)檫@樣會(huì)花費(fèi)更多的時(shí)間，影響數(shù)據(jù)傳輸速率。隨著時(shí)鐘頻率的不斷提高，這種瓶頸會(huì)越來(lái)越明顯，sdram的優(yōu)勢(shì)會(huì)更加體現(xiàn)出來(lái)。
(部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò))
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