1.在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài)，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和；
3.飽和區(qū)的現象就是：二個pn結均正偏，ic不受ib之控制
基極電流達到多少時三極管飽和？
這個值應該是不固定的，它和電源電壓,集電極負載、β值,基極電阻,
基極信號大小有關.
另外一個應該注意的問題就是：在ic增大的時候，hfe會減小，所以我們應該讓三極管進入深度飽和ib〉〉ic（max）/hfe,ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的ic極限，當然這是以犧牲關斷速度為代價的。
飽和時vb>vc，但vb>vc不一定飽和
一般判斷飽和的直接依據還是防大倍數，有的管子vb>vc時還能保持相當高的放大倍數
例如：有的管子將ic/ib<10定義為飽和
ic/ib<1應該屬于深飽和了
用三極管可以考慮以下幾點：
1）耐壓夠不夠
2）負載電流夠不夠大
3）速度夠不夠快（有時卻是要慢速）
4）b極控制電流夠不夠
5）有時可能考慮功率問題
6）有時要考慮漏電流問題（能否“完全”截止）。
7）增益