1，固態(tài)硬盤是用什么顆粒的2，怎么知道自己的固態(tài)硬盤是什么顆粒3，ssd固態(tài)硬盤顆粒等級4，固態(tài)硬盤閃存顆粒分哪幾類5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎1，固態(tài)硬盤是用什么顆粒的
mlc顆粒的固態(tài)硬盤一律采用閃存顆粒。
2，怎么知道自己的固態(tài)硬盤是什么顆粒
。。“固態(tài)硬盤的顆?！敝竤sd電路板上的閃存芯片啦。這“顆?！庇?slc、mlc、tlc、3d tlc類型，其讀寫速率和壽命與閃存類型密切相關(guān)。辨別，目前還只能靠查看產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)得知。
3，ssd固態(tài)硬盤顆粒等級
很少有見關(guān)注顆粒等級的 me2 大于me3 me2 5000pe me3 3000pe像我們使用的話 只要是mlc的家用久可以了 什么便宜就用什么 我自己用的 還是tlc的 2000pe的....用不完的 用了半年了 才21pe 我還是用的頻繁的 這要用完 不得50年去了 mlc 和 tlc速度基本上一樣 察覺不出來 何況顆粒等級造成的區(qū)別ssd固態(tài)硬盤顆粒主要分為 :slc、mlc、tlc三類顆粒！slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命。簡單地說slc的性能最優(yōu)，價格超高。一般用作企業(yè)級或高端發(fā)燒友。mlc性能夠用，價格適中為消費級ssd應(yīng)用主流，tlc綜合性能最低，價格最便宜。但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高tlc閃存的性能。
4，固態(tài)硬盤閃存顆粒分哪幾類
都是nand閃存，分為slc （價格貴壽命長一般用于企業(yè)）mlc（固態(tài)硬盤中最常用的價格一般，壽命一般）tlc（價格最便宜壽命最短）固態(tài)硬盤：芯片 取決固態(tài)的容量，而定的片數(shù)。1.采用閃存存儲，讀取速度比普通機械硬盤更快沒有磁頭等問題2.其實對于使用固態(tài)硬盤來說，品牌 無所謂哪個都一樣，只要質(zhì)保好就可以了。因為固態(tài)盤質(zhì)保非常不太好。3.系統(tǒng)最好裝在固態(tài)里面，其他大容量的數(shù)據(jù)最好放在普通硬盤里面。因為固態(tài)硬盤與優(yōu)盤存儲介質(zhì)都是由芯片自稱的。使用壽命決定于使用次數(shù)，大概120g固態(tài)硬盤 使用壽命在20年左右吧。flash不建議存儲大容量的數(shù)據(jù)。會降低使用壽命的，也就是品牌讀寫會浪費壽命次數(shù)4.雖然防震抗摔，但是真的摔到點子上了，也是一種損失還是小心些。5.使用過程中也不會出現(xiàn)機械硬盤的工作聲音，比較靜音，也沒有機械硬盤那么耗電，硬盤芯片工作溫度在-40-85度都是正常的。關(guān)于接口：分為：sata串口（sata2.0和sata3.0），pci-e，lif，msata、cfast 等4k對齊：條件：支持高級格式化的固態(tài)硬盤（2011年以后都可以）1.可以下載paragon alignment：安裝運行可以看到顯示綠色就證明是對齊了，黃色的就沒有對其可以對齊，紅色就表示盤不支持也無法對齊?；蛘呦螺d硬盤檢測工具 as ssd benbhmark 安裝后可以看到提示，同上。2.對于新盤，win7安裝過程中，格式化工具進行格式化，這樣分區(qū)就直接開始4k對齊，如果分區(qū)有系統(tǒng)分區(qū)，必須選擇主磁盤分區(qū)，分區(qū)大小選擇自己想要的大小，不要太小了。3.已使用的硬盤，在不破壞自己硬盤里面數(shù)據(jù)的前提下。也可以試試如有問題可以追問，希望能幫助大家 愿采納，網(wǎng)上有很多支持的軟件，也可以試試~~~~
5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎
經(jīng)過3-4年的發(fā)展，如今固態(tài)硬盤已經(jīng)成為很多用戶垂延的it產(chǎn)品 ，大家不再糾結(jié)它容量太小，而是更加依賴它高速讀寫能力。雖然用戶開始關(guān)注ssd硬盤 固態(tài)硬盤flash顆粒 要認(rèn)清問題，首先要搞明白什么是slc和mlc，它們屬于兩種不同類型的nand flash存儲器，用來作為mp3播放器、u盤、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品的存儲介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于slc每一個單元，只能存儲一位數(shù)據(jù)，mlc每一個單元可以存儲兩位數(shù)據(jù)，mcl的數(shù)據(jù)密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 這樣在nand flash的底層存儲上就引出了兩種不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它們之間各有優(yōu)缺點，現(xiàn)在在各類產(chǎn)品中都有采用。下面這樣表格可以較為直觀的展示出他們性能區(qū)別。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一個flash存儲單元只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號，所以slc最大的驅(qū)動電壓可以做到很低。slc結(jié)構(gòu)簡單，用一組變化電壓驅(qū)動，速度很快同時壽命較長也更為可靠，不過這種一個block只存儲一組數(shù)據(jù)的模式無法在相同的晶圓面積上實現(xiàn)較高的存儲密度，存儲容量提高完全依賴芯片工藝的提升。 slc芯片mlc閃存芯片 mlc故名思義在存儲單元中實現(xiàn)多位存儲能力，典型的是2bit。它通過不同級別的電壓在一個單元中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。因為電壓變化更頻繁，所以mlc技術(shù)的flash在壽命方面遠劣于slc，同時它的讀寫速度不如slc，一個block存儲兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長的時間，這里面還有電壓控制、crc寫入方式等因素需要考慮。 slc和mlc電壓驅(qū)動的存儲能力區(qū)別 顯而易見，slc在壽命和性能方面擁有獨特的優(yōu)勢，不過需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而mlc雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢，但在速度和壽命方面存在先天的不足。這就區(qū)格了它們的應(yīng)用，slc用在不計成本追求速度和可靠性的企業(yè)級產(chǎn)品中，mlc更適合在消費級產(chǎn)品中部署。