場效應管（field effect transistor，簡稱fet）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于電子電路中。它的主要作用是控制電流的流動，實現(xiàn)信號放大、開關控制等功能。在電力電子、通信電子、計算機等領域中都有著重要的應用。
場效應管有多種不同的類型，其中比較常見的有mosfet（metal oxide semiconductor field effect transistor）和jfet（junction field effect transistor）兩種。mosfet是目前最常見和使用最廣泛的一種場效應管，其符號如下：
d
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|_______
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g | |
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|_______|s
其中，d表示漏極（drain），g表示柵極（gate），s表示源極（source）。柵極是控制電流的輸入端，它通過控制柵電壓來調節(jié)電流的流動情況。源極和漏極則是電流的輸出和輸入端。
mosfet的工作原理是通過控制柵電壓來改變溝道區(qū)的電阻，從而控制電流的流動。當柵電壓為低電平時，溝道區(qū)的電阻較大，電流流動較?。划敄烹妷簽楦唠娖綍r，溝道區(qū)的電阻減小，電流流動增大。因此，mosfet可以實現(xiàn)對電流的精確控制。
mosfet主要有兩個工作模式：增強型和耗盡型。增強型mosfet在沒有柵電壓時，溝道區(qū)沒有導電，屬于關斷狀態(tài)；而耗盡型mosfet在沒有柵電壓時，溝道區(qū)有一定的導電能力，屬于導通狀態(tài)。通過對柵電壓的調節(jié)，可以在兩種模式之間切換。
jfet是另一種常用的場效應管，它的符號如下：
d
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|_____
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g| |
| |s
其中，d表示漏極（drain），g表示柵極（gate），s表示源極（source）。jfet的工作原理是通過控制柵電壓來改變通道區(qū)的電阻，進而控制電流的流動。與mosfet不同的是，jfet的柵極和溝道之間沒有絕緣層，電流是通過電場控制的。jfet具有低噪聲、高輸入電阻和寬頻帶等特點，常用于放大電路和高頻電路中。
除了上述兩種常見的場效應管外，還有igbt（insulated gate bipolar transistor）等其他類型的場效應管，它是mosfet和雙極晶體管的結合體，具有高輸入電阻和低輸出電阻等優(yōu)點，被廣泛應用于高壓大電流的電力電子領域。
總結起來，場效應管是一種重要的半導體器件，其主要作用是控制電流的流動。常用的場效應管包括mosfet、jfet和igbt等，它們在電子電路中有著廣泛的應用。mosfet通過控制柵電壓來改變溝道區(qū)的電阻，實現(xiàn)對電流的精確控制；jfet則通過改變通道區(qū)的電阻來控制電流的流動；而igbt是mosfet和雙極晶體管的結合體。不同類型的場效應管適用于不同的應用場景，科學合理地選擇和使用場效應管，將為電子電路的設計和實現(xiàn)提供更多可能性。