半導體三極管的參數(shù)分為直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)三大類。
1.共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)
＝（ic－iceo）/ib ≈ ic / ib|vce＝const
在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性曲線上，通過垂直于x軸的直線(vce＝const)來求取ic/ib ，如圖1所示。在ic較小時和ic較大時，會有所減小，這一關系見圖2。
圖1 在輸出特性曲線上決定
圖2 值與ic的關系
2.集電極－基極間反向飽和電流icbo
icbo的下標cb代表集電極和基極，o 是open的字頭，代表第三個電極 e 開路。它相當于集電結(jié)的反向飽和電流。
2.集電極－發(fā)射極間的反向飽和電流iceo
iceo和icbo有如下關系
iceo＝（1＋）icbo
相當基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線ib＝0那條曲線所對應的y坐標的數(shù)值，如圖3所示。
圖3 iceo在輸出特性曲線上的位置
3.共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)β
b ＝dic/dib½
在放大區(qū)，b 值基本不變，可在共射接法輸出特性曲線上，通過垂直于 x 軸的直線求取dic/dib?；蛟趫D2上通過求某一點的斜率得到b 。具體方法如圖4所示。
圖4 在輸出特性曲線上求取β
4、 集電極最大允許電流icm
如圖2所示，當集電極電流增加時，b 就要下降，當b 值下降到線性放大區(qū)b 值的70～30％時，所對應的集電極電流稱為集電極最大允許電流icm。至于b 值下降多少，不同型號的三極管，不同的廠家的規(guī)定有所差別?？梢?，當ic＞icm時，并不表示三極管會損壞。
5、 集電極最大允許功率損耗pcm
集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗，pcm＝ icvcb≈ icvce，因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計算時往往用vce取代vcb。
6、 反向擊穿電壓
反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力，其測試時的原理電路如圖5所示。
圖5 三極管擊穿電壓的測試電路
1. v(br)cbo——發(fā)射極開路時的集電結(jié)擊穿電壓。下標 br 代表擊穿之意，是breakdown的字頭，c、b代表集電極和基極，o 代表第三個電極 e 開路。
2. v(br)ebo——集電極開路時發(fā)射結(jié)的擊穿電壓。
3. v(br)ceo——基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。
對于v(br)cer表示 be 間接有電阻，v(br)ces表示 be 間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關系：
v(br)cbo≈v(br)ces＞v(br)cer＞v(br)ceo＞v(br)ebo
由最大集電極功率損耗 pcm、icm 和擊穿電壓v(br)ceo，在輸出特性曲線上還可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖6。
圖6 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū)