1. 為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧igt ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧ il .這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
2. 要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<ih, 并維持足夠長的時 間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。
3. 設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（wt2-,+）。
4. 為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至mt1（或陰極）。若 用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和mt1間加電阻1k電容和門極間串接電阻硪喚餼靄旆?，选用H系列低靈敏度雙向可控硅。
5. 若dvd/dt或dvcom/dt可能引起問題，在mt1和mt2間加入rc緩沖電路。 若高dicom/dt可能引起問題，加入一幾mh的電感和負(fù)載串聯(lián)。 另一種解決辦法，采用hi-com雙向可控硅。
6. 假如雙向可控硅的vdrm在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下 列措施之一： 負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾霩的不飽和電感，以限制dit/dt; 用mov跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。
7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的 dit/dt承受能力。
8. 若雙向可控硅的dit/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個幾霩的無鐵芯電感 或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
9. 器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把 鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
10. 為了長期可靠工作，應(yīng)保證rthj-a足夠低，維持tj不高于tjmax ,其值相應(yīng)于可能的 最高環(huán)境溫度。