晶體管放大作用必須滿足的條件:
內(nèi)部條件: 晶體管結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)
外部條件: 晶體管的發(fā)射結(jié)加正向電壓,集電結(jié)加反向電壓。p區(qū)接正,n區(qū)接負(fù); n區(qū)接正,p區(qū)接負(fù)。
（一）晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)
1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子的過程
載流子運(yùn)動(dòng)主要表現(xiàn)為發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，形成電流ie≈ien.
2.電子在基區(qū)的擴(kuò)散過程
注入的電子在擴(kuò)散的過程中，極少數(shù)與基區(qū)的空穴復(fù)合形成ib，絕大部分?jǐn)U散到集電結(jié)邊界。
3.電子被集電級(jí)收集的過程
電子受到集電結(jié)上的電場(chǎng)吸引而迅速漂移過集電結(jié)，形成icn. 集電結(jié)反向偏置必然要使集電區(qū)與基區(qū)的少子漂移，形成icbo。
(二）晶體管的電流分配關(guān)系
晶體管各極的電流構(gòu)成：
發(fā)射極電流 ie 大部分流入集電極形成 icn。
令
令
則
（1）當(dāng) ib=0 時(shí)， ic=iceo 。 稱iceo為穿透電流
（2）當(dāng) iceo≈0, 則ic≈ib 即
代表ib對(duì)ic的控制作用，
越大，控制作用越強(qiáng)。
（三）晶體管的放大作用
本質(zhì): 電流控制作用，即ib對(duì)ic或ie對(duì)ic的控制作用。
在集電極回路中串接一個(gè)負(fù)載電阻，就可以在負(fù)載電阻兩端得到相應(yīng)的幅度較大的變化電壓。
集電極回路中接入的負(fù)載電阻上，仍可得到較大的輸出信號(hào)電壓。
（四）關(guān)于pnp型晶體管
1.電源極性不同：npn型電流從集電極流向發(fā)射極
2.電流方向不同：pnp型電流從發(fā)射極流向集電極