1，誰說slc固態(tài)硬盤已經(jīng)和大家拜拜了這里就有一款2，slc ssd有哪些3，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選4，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎1，誰說slc固態(tài)硬盤已經(jīng)和大家拜拜了這里就有一款
某寶有瞬盤和富士通兩種新的，，其他一般都是二手，不過就算現(xiàn)在的tlc都質(zhì)保5年了還不行嗎，況且大牌五年也不一定用壞按閃存芯片的寫次數(shù)。一般情況下，slc型閃存芯片寫次數(shù)為10萬次，mlc型閃存芯片寫次數(shù)為1萬次。每次開啟windows即使不主動(dòng)拷貝文件，都要對(duì)固態(tài)硬盤讀寫很多次，所以想想其實(shí)這東西也不是很耐用。
2，slc ssd有哪些
目前已經(jīng)幾乎看不到了，除了服務(wù)器，高端用外，還有的一般都是二手diy用了，現(xiàn)在是mlc,tlc，到底這個(gè)成本便宜，方便大眾化。話說，現(xiàn)在能看到的slc，大部分都是n年前的產(chǎn)品了。太高端的買不起，就不說了。nand是目前閃存顆粒用的技術(shù)，ssd里面的存儲(chǔ)顆粒就是一顆顆nand flash（閃存）slc表示一種閃存顆粒的類型，區(qū)別是最小存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲(chǔ)單元只區(qū)分2個(gè)電位（高低電位），等于只能存儲(chǔ)0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類型的nand閃存就叫做slc。以此類推，還有mlc：最小存儲(chǔ)單元區(qū)分4個(gè)電位，即00，01，10，11。tlc：區(qū)分8個(gè)電位。同樣一個(gè)最小的存儲(chǔ)單元，區(qū)分的電位越多，存儲(chǔ)密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc會(huì)比后面的貴得多，容量也不容易做大。但slc好處是：區(qū)分的電位越多，每個(gè)電位間區(qū)別越小，讀寫速度越慢（難以識(shí)別和寫入），壽命也越短（損耗一點(diǎn)點(diǎn)就錯(cuò)位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦寫次數(shù)更多。目前的情況是，slc一般用于企業(yè)級(jí)ssd，以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤。mlc一般用于桌面級(jí)ssd。tlc的ssd因?yàn)榧夹g(shù)和可靠性的原因幾乎還沒有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤和存儲(chǔ)卡市場(chǎng)（因?yàn)閮r(jià)格戰(zhàn)太厲害，利潤(rùn)太低，沒人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存儲(chǔ)卡，u盤和存儲(chǔ)卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。
3，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選
從貴到便宜是slc、mlc、tlc（也叫3 bit mlc），壽命從長(zhǎng)到短也是這個(gè)順序?，F(xiàn)在個(gè)人家用也就mlc和tlc了，壽命都能滿足，tlc的便宜一些。不過選擇ssd應(yīng)該同時(shí)注重品牌、銷量、性能、兼容性等等，不能只看芯片。slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500-1000次擦寫壽命。3 bit mlc是三星的叫法，理論上可以視為tlc。三星由于在半導(dǎo)體上游的優(yōu)勢(shì)和先進(jìn)的技術(shù)，所以三星的3 bit mlc比一般的tlc壽命要好得多！請(qǐng)注意，以上只是純理論，看看就行了?。?！至于選擇什么樣的ssd，要從ssd的發(fā)展來看。最開始的ssd是slc芯片，壽命高但是價(jià)格更高，根本就沒法普及；后來mlc芯片的ssd上市，因?yàn)閮r(jià)格便宜了，所以一般家庭用戶用的起了，當(dāng)然相比slc芯片，mlc的性能也不錯(cuò)，所以ssd在這個(gè)時(shí)期得到了飛速的發(fā)展，其中最著名的就是三星的830、美光的m4；從2012年開始，一些技術(shù)牛的廠商開始嘗試tlc芯片的ssd，代表性的產(chǎn)品就是840，因?yàn)樾阅懿诲e(cuò)，壽命夠用
4，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些
基本上都是這種。就好比你再問，現(xiàn)在非曲屏手機(jī)有哪些？那不就忒好找了嗎？曲屏手機(jī)只有5粗?jǐn)n共6款手機(jī)，剩余的海量手機(jī)都是非曲屏的手機(jī)。是一個(gè)意思。分為slc/mlc/tlc，而隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態(tài)硬盤上單體的存儲(chǔ)單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了，更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達(dá)極限了，要想進(jìn)一步擴(kuò)大單die的可用容量，就必須在技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新。?晶圓物理容量已接近極限于是，3d nand技術(shù)也就應(yīng)運(yùn)而生了。在解釋3d nand之前，我們先得弄清楚2d nand是什么，以及“2d”和“3d”的真實(shí)含義。首先是2d nand，我們知道在數(shù)學(xué)和物理領(lǐng)域，2d/3d都是指的方向，都是指的坐標(biāo)軸，“2d”指的是平面上的長(zhǎng)和寬，而“3d”則是在“2d”基礎(chǔ)上，添加了一個(gè)垂直方向的“高”的概念。由此，2d nand真實(shí)的含義其實(shí)就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式，是按照傳統(tǒng)二維平面模式進(jìn)行排列閃存顆粒的。相對(duì)應(yīng)的，3d nand則是在二維平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列，即將原本平面的堆疊方式，進(jìn)行了創(chuàng)新。利用新的技術(shù)(即3d nand技術(shù))使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積，進(jìn)一步推動(dòng)了存儲(chǔ)顆粒總體容量的飆升。第一款：美光(micron)旗下品牌 英睿達(dá)(crucial) bx300系列 sata ssd第二款：建興(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款：金士頓(kingston) ms200系列 sata ssd第四款：金泰克（tigo）s520系列 sata ssd
5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎
經(jīng)過3-4年的發(fā)展，如今固態(tài)硬盤已經(jīng)成為很多用戶垂延的it產(chǎn)品 ，大家不再糾結(jié)它容量太小，而是更加依賴它高速讀寫能力。雖然用戶開始關(guān)注ssd硬盤 固態(tài)硬盤flash顆粒 要認(rèn)清問題，首先要搞明白什么是slc和mlc，它們屬于兩種不同類型的nand flash存儲(chǔ)器，用來作為mp3播放器、u盤、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品的存儲(chǔ)介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于slc每一個(gè)單元，只能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，mlc每一個(gè)單元可以存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，mcl的數(shù)據(jù)密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 這樣在nand flash的底層存儲(chǔ)上就引出了兩種不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，現(xiàn)在在各類產(chǎn)品中都有采用。下面這樣表格可以較為直觀的展示出他們性能區(qū)別。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一個(gè)flash存儲(chǔ)單元只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因?yàn)橹恍枰唤M高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號(hào)，所以slc最大的驅(qū)動(dòng)電壓可以做到很低。slc結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，用一組變化電壓驅(qū)動(dòng)，速度很快同時(shí)壽命較長(zhǎng)也更為可靠，不過這種一個(gè)block只存儲(chǔ)一組數(shù)據(jù)的模式無法在相同的晶圓面積上實(shí)現(xiàn)較高的存儲(chǔ)密度，存儲(chǔ)容量提高完全依賴芯片工藝的提升。 slc芯片mlc閃存芯片 mlc故名思義在存儲(chǔ)單元中實(shí)現(xiàn)多位存儲(chǔ)能力，典型的是2bit。它通過不同級(jí)別的電壓在一個(gè)單元中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。因?yàn)殡妷鹤兓l繁，所以mlc技術(shù)的flash在壽命方面遠(yuǎn)劣于slc，同時(shí)它的讀寫速度不如slc，一個(gè)block存儲(chǔ)兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長(zhǎng)的時(shí)間，這里面還有電壓控制、crc寫入方式等因素需要考慮。 slc和mlc電壓驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)能力區(qū)別 顯而易見，slc在壽命和性能方面擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，不過需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而mlc雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢(shì)，但在速度和壽命方面存在先天的不足。這就區(qū)格了它們的應(yīng)用，slc用在不計(jì)成本追求速度和可靠性的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品中，mlc更適合在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中部署。