東芝公司近日推出了全球首個面向50a以上應用的碳化硅mosfet模塊，以方便電動汽車、太陽能發(fā)電及其他用途。據(jù)悉，該模塊能夠使系統(tǒng)效率提高10%。該模塊可在高溫下穩(wěn)定運行，最高溫度為175℃，這是傳統(tǒng)的硅基技術(shù)無法匹敵的。
該模塊采用了東芝獨有的70μm超薄碳化硅mosfet基板技術(shù)，并加速了含4個mosfet芯片的模塊設計過程。此外，該模塊還采用了高速驅(qū)動技術(shù)，使其能夠滿足高速開關(guān)需求，提高了能源傳輸率。
東芝在碳化硅mosfet技術(shù)研究領(lǐng)域已經(jīng)擁有多年的積累，并成功開發(fā)了用于商業(yè)用途的模塊。據(jù)市場研究公司估計，2020年碳化硅市場將達到15億美元，并且由于其技術(shù)特性，將逐步替代傳統(tǒng)的硅基技術(shù)，成為未來芯片行業(yè)發(fā)展的趨勢。
東芝公司盡全力滿足市場需求，據(jù)悉，此款模塊已于2020年12月開始量產(chǎn)。東芝公司將繼續(xù)加強技術(shù)研發(fā)，為用戶提供更具性價比和可靠性的產(chǎn)品。