本文為大家介紹nor flash與nand flash區(qū)別(簡(jiǎn)述nor flash和nand flash的特點(diǎn)及區(qū)別),下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
首頁(yè)經(jīng)驗(yàn)nor flash和nand flash的區(qū)別
nor flash和nand flash的區(qū)別
1、與nor閃存相比,nand閃存的密度更大,主要是因?yàn)樗拿勘忍爻杀靖汀?nand 閃存通常具有1gb 到16gb 的容量。 nor 閃存密度范圍從64mb 到2gb。由于其較高的密度,nand 閃存主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。
2、nand閃存的擦除操作相對(duì)容易。 nor閃存中,每個(gè)字節(jié)在擦除前都需要寫入“0”。這使得nor 閃存擦除操作比nand 閃存慢得多。例如,nand flash 中的s34ml04g2 需要3.5ms 來擦除一個(gè)128kb 的塊,而nor flash 中的s70gl02gt 需要大約520ms 來擦除一個(gè)類似的128kb 扇區(qū)。
3、存儲(chǔ)容量不同。 nand 具有更高的存儲(chǔ)容量。這是因?yàn)閚and flash的密度更高,所以可以存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)擴(kuò)展:nand-flash存儲(chǔ)器是閃存的一種,內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)器的實(shí)現(xiàn)提供了一種廉價(jià)有效的解決方案。 nand-flash存儲(chǔ)器具有容量大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適合存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù),因此在業(yè)界得到越來越廣泛的應(yīng)用。
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