為了得到更佳性能的磁控濺射cu-w薄膜,某大學(xué)新材料研究所采用kri考夫曼射頻離子源rficp380輔助磁控濺射技術(shù)在基片上沉積cu-w膜.
kri射頻離子源rficp380技術(shù)參數(shù):
射頻離子源型號(hào)
rficp380
discharge陽(yáng)極
射頻rficp
離子束流
>1500 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
30 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
15-50 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
長(zhǎng)度
39 cm
直徑
59 cm
中和器
lfn 2000
上圖為磁控濺射系統(tǒng)工作示意圖
kri離子源的功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能,增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝.kri離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性,而這些特性在不使用kri離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.因此伯東的kri考夫曼射頻離子源rfcip380被客戶采用作為4, 5濺射離子源.
客戶材料:
基片為φ25mmx4mm的玻璃片,w靶純度99.9%,尺寸φ76mmx4mm,銅靶純度99.99%,尺寸φ76mmx4mm,工作氣體為純度99.99%的氬氣.
運(yùn)行結(jié)果:
當(dāng)w含量在11.1%時(shí),cu-w薄膜具有好的硬度和耐磨性.
伯東是德國(guó)pfeiffer真空泵,檢漏儀,質(zhì)譜儀,真空計(jì),美國(guó)kri考夫曼離子源,美國(guó)hva真空閥門,美國(guó)intest高低溫沖擊測(cè)試機(jī),美國(guó)ambrell感應(yīng)加熱設(shè)備和日本ns離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.
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上海伯東:羅先生