低溫等離子體技術(shù)處理工藝設(shè)計(jì)在封裝工藝中的使用：
sip、bga、csp等封裝技術(shù)的發(fā)展使半導(dǎo)體器件朝著模塊化、高集成度和小型化方向發(fā)展。這類封裝組裝工藝存在的主要問題是：填料粘結(jié)處有有機(jī)物污染，電加熱時(shí)形成氧化膜等。粘結(jié)表面存在污染物，使元件的粘結(jié)強(qiáng)度和封裝后樹脂的灌封強(qiáng)度降低，直接影響了元件的裝配水平和持續(xù)發(fā)展。為了提高和改進(jìn)這些元件的裝配能力，大家都在想方設(shè)法解決這個(gè)問題。改進(jìn)實(shí)踐表明，在封裝工藝中適當(dāng)引入低溫等離子體技術(shù)處理工藝設(shè)計(jì)的使用，可大大提高封裝的可靠性，提高成品率。
采用cog工藝在玻璃基片(lcd)上安裝裸晶片ic，當(dāng)晶片被粘合后經(jīng)過高溫硬化后，在低溫等離子體技術(shù)處理時(shí)粘合填料表面有基體成分析出。同時(shí)也經(jīng)常會(huì)有粘結(jié)填料上的粘結(jié)劑如ag漿料等溢出成分污染。在熱壓聯(lián)鎖過程之前，使用低溫等離子體技術(shù)可以除去這些污染物，那么熱壓聯(lián)鎖的質(zhì)量可以大大提高。此外，由于襯底與裸晶片表面的潤濕性均有所改善，lcd-cog模塊的結(jié)合密接性也有所改善，同時(shí)線材腐蝕問題也有所改善。