(1) 漏源擊穿電壓uds：決定了功率mosfet的最高工作電壓。
(2) 柵源擊穿電壓ugs ：表征功率mosfet柵源之間能承受的最高電壓。該參數(shù)很重要：因?yàn)槿梭w常常帶有高壓靜電，所以在接觸mos型器件，包括電力mosfet、普通mosfet、mos型集成電路時(shí)，可以先用手接觸一下接地的導(dǎo)體，將身體的靜電放掉，否則容易將gs間的絕緣層擊穿。另外，在用烙鐵焊mos型器件時(shí)，應(yīng)將烙鐵加熱后，拔下電源插座，再焊器件。
(3) 漏極最大電流id：表征功率mosfet的電流容量。一般廠家給定的漏極直流（額定）電流id 是外殼溫度為25度時(shí)的值，所以要考慮裕量，一般為3-5倍。
(4) 開啟電壓ut：又稱閾值電壓，指功率mosfet流過一定量的漏極電流時(shí)的最小柵源電壓。
(5) 通態(tài)電阻ron：通態(tài)電阻ron是指在確定柵源電壓ugs下，功率mosfet處于恒流區(qū)時(shí)的直流電阻，是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。
(6) 極間電容：功率mosfet的極間電容是影響其開關(guān)速度的主要因素。其極間電容分為兩類；一類為cgs和cgd，它們由mos結(jié)構(gòu)的絕緣層形成的，其電容量的大小由柵極的幾何形狀和絕緣層的厚度決定；另一類是cds，它由pn結(jié)構(gòu)成，其數(shù)值大小由溝道面積和有關(guān)結(jié)的反偏程度決定。
一般生產(chǎn)廠家提供的是漏源短路時(shí)的輸入電容ci、共源極輸出電容cout及反饋電容cf，它們與各極間電容關(guān)系表達(dá)式為
ci＝cgs＋cgd cout＝cds＋cgd cf＝cgd
顯然，ci﹑cout和cf均與漏源電容cgd有關(guān)。