1．結構
igbt的基本結構如圖1a）所示，與p-mosfet結構十分相似，相當于一個用mosfet驅動的厚基區(qū)pnp晶體管。仔細觀察發(fā)現其內部實際上包含了兩個雙極型晶體管p+np及n+pn，它們又組合成了一個等效的晶閘管。這個等效晶閘管將在igbt器件使用中引起一種“擎住效應”，會影響igbt的安全使用。
a） 結構示意圖 b） 等效電路 c） 符號
圖 igbt示意圖
2．工作原理
igbt的等效電路如圖1b）所示，是以pnp型厚基區(qū)gtr為主導元件、n溝道m(xù)osfet為驅動元件的達林頓電路結構器件，rdr為gtr基區(qū)內的調制電阻。圖1c）則是igbt的電路符號。
igbt的開通與關斷由柵極電壓控制。柵極上加正向電壓時mosfet內部形成溝道，使igbt高阻斷態(tài)轉入低阻通態(tài)。在柵極加上反向電壓后，mosfet中的導電溝道消除，pnp型晶體管的基極電流被切斷，igbt關斷。