soi芯片光電探測(cè)器陣列
soi chip-based photodetector array
soi芯片式光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
〖特性features〗
n 多通道
multi-channels
n 高集成度芯片化
chip based
n 大模擬帶寬
large electrical bandwidth
〖應(yīng)用applications〗
n 光纖傳感
optical fiber sensor
n 光纖通信
optical fiber communications
n 激光雷達(dá)
lidar system
〖性能指標(biāo)specifications〗
參數(shù)指標(biāo)
parameters
單位
unit
最小值
min.
典型值
typ.
最大值
max.
備注
notes
波長(zhǎng)范圍
wavelength range
nm
1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流
dark current
na
35
50
3 db模擬帶寬
3 db bandwidth
ghz
28
光飽和功率
optical saturation power
mw
10
響應(yīng)度
responsibility
a/w
0.8
0.85
90度光學(xué)混頻器損耗
90°mixer loss
db
6
6.5
6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度
90°mixer phase unbalance
°
5
通道數(shù)
number of channels
8或可定制
8 or can be customized
光纖接入損耗
insertion loss
db
≤0.5
偏振相關(guān)損耗
pdl
db
≤0.3
工作溫度范圍
operating temperature range
°c
-20
50
工作濕度范圍
operating humidity range
%
+65
芯片尺寸
chip dimensions
mm
4(l)×5(w)×0.5(h)