根據intel的芯片工藝路線圖，到2025年之前他們要在短短4年內掌握5代cpu工藝，其中有2代還是首次進入埃米級工藝，今年下半年將要量產intel 4工藝，也就是對標友商的”4nm“工藝，也是intel首款使用euv光刻機的工藝。
目前臺積電、三星已經量產了4nm工藝，不過intel自家的”4nm“工藝還是有不少特色的，特別是在性能方面，其他兩家主要生產低功耗芯片，intel則是要生產高性能處理器，包括桌面及服務器級別的。
intel的這個”4nm“工藝比目前的intel(也就是沒改名前的第二代10nm工藝)工藝每瓦性能提升20%，如果是對比之前的初代10nm工藝，那么性能提升超過35%。
其他方面，intel ”4nm“工藝的晶體管密度相比intel 7工藝提升100%，hp高性能庫密度可達1.6億晶體管/mm2，高于臺積電5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺積電未來的3nm工藝的2.08億晶體管/mm2水平了。
目前intel 7工藝量產的12代酷睿及下半年的13代酷睿頻率可以做到5.5ghz了，假設性能也只是提升20%，那極限頻率應該可以突破6ghz了，不知道intel會不會這么做。
intel 4工藝會在明年的14代酷睿meteor lake上首發(fā)，后者也會是intel酷睿系列中首個大量使用3d foveros混合封裝的處理器，主要有三個部分封裝在一起，一是計算模塊，二是gpu模塊，多達96-192個計算單元，三是soc-lp，應該是包含內存控制器、pcie控制器等輸入輸出部分。
原標題：性能猛增35% intel公開”4nm“ euv工藝性能：cpu頻率沖擊6ghz？